一种半导体封装结构及射频前端模块产品制造技术

本申请实施例提供了一种半导体封装结构及射频前端模块产品，半导体封装结构包括基板、设置在所述基板上的内埋芯片以及管脚结构，所述管脚结构与所述内埋芯片电连接，所述管脚结构包括至少一环，每环所述管脚结构由多个管脚环绕组成，每环所述管脚结构的管脚间的中心距不同，每环所述管脚结构的管脚均由层状结构组成，所述层状结构至少包括设置在所述内埋芯片上的金属凸起结构以及设置在所述金属凸起结构上的至少一层金属层，本申请与现有布局方法相比，能够在不增加、甚至是缩小芯片管脚布局面积的同时，可以容纳更多的管脚，以此来有效减少多功能芯片在射频前端模组中占用的面积，从而减小射频前端模组的尺寸，缓解产品电路板面积紧张的压力。品电路板面积紧张的压力。品电路板面积紧张的压力。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体封装结构及射频前端模块产品


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种半导体封装结构及射频前端模块产品。

技术介绍

[0002]随着通信行业的发展以及智能设备的普及，国内外用户对于智能手机、智能穿戴设备等产品的需求与日俱增。与此同时，用户对于智能产品的小型化、便携带性、待机时长等附加性能的要求也在逐渐提高。
[0003]众所周知，射频前端作为所有通信设备的核心，通常包括射频功率放大器、滤波器、双工器(多工器)、射频开关、射频低噪声放大器、天线调谐、包络跟踪等，其决定了通信质量、信号功率、信号带宽、网络连接速度等。随着5G时代的到来，移动设备能够使用的频段逐渐增多，这也意味着需要更多的射频元件支持。射频前端器件的数量增加导致了智能设备内部PCB板面积紧张、工艺难度提升，这也导致射频前端的复杂性指数级增长。
[0004]集成式射频前端能够对各模块进行整合，从而在有限面积的PCB板上进行高集成度的模块布局，因而集成式射频前端的各方面性能更能满足市场需求。目前业内现有的诸如MMMB、PAMiD以及L
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括基板、设置在所述基板上的内埋芯片以及管脚结构，其中：所述管脚结构与所述内埋芯片电连接，所述管脚结构包括至少一环，每环所述管脚结构由多个管脚环绕组成，不同环的所述管脚结构中所包含的管脚的尺寸不同；每环所述管脚结构的管脚均由层状结构组成，所述层状结构至少包括设置在所述内埋芯片上的金属凸起结构以及设置在所述金属凸起结构上的至少一层金属层。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述管脚结构包括多环时，每环所述管脚结构的管脚间的中心距不同。3.根据权利要求1或2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述管脚结构包括多环时，多环所述管脚结构由内向外环绕分布。4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述管脚结构为两环时，所述管脚结构由内向外包含内环和末环；所述管脚结构为三环或三环以上时，所述管脚结构由内向外包含内环、至少一环中间环以及末环。5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述内环的管脚间的中心距≥85μm；和/或，所述末环的管脚间的中心距≥65μm；和/或，在所述管脚结构为三环或三环以上时，所述中间环的管脚间的中心距≥85μm。6.根据权利要求1或2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述管脚结构中需要连接至所述封装结构表面的管脚彼此间的中心距≥115μm。7.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，在所述管脚结构为两环时，所述内环的管脚与所述末环的管脚间的中心距≥75μm；在所述管脚结构为三环或三环以上时，所述内环的管脚与所述中间环的管脚间的中心距≥85μm；和/或，所述中间环的管脚与所述末环的管脚间的中心距≥75μm；和/或，所述内环的管脚与所述末环的管脚间的中心距≥160μm。8.根据权利要求3所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛春宇，陈俊，高佳慧，
申请(专利权)人：宜确半导体苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：