基于氧化镓/阻挡层/氮化镓异质结的紫外光电探测器制造技术

本发明专利技术涉及一种基于氧化镓/阻挡层/氮化镓异质结的紫外光电探测器，所述异质结包括：衬底（1）、缓冲层（2）、GaN层（3）、阻挡层（4）、本征Ga2O3层（5）和n型重掺杂Ga2O3层（6）；衬底（1）、缓冲层（2）、GaN层（3）、阻挡层（4）、本征Ga2O3层（5）和n型重掺杂Ga2O3层（6）由下向上依次排列，所述n型重掺杂Ga2O3层（6）上部有第一金属电极（7）；所述n型重掺杂Ga2O3层（6）与第一金属电极（7）呈欧姆接触；所述GaN层（3）上部的一侧区域被阻挡层（4）覆盖，所述GaN层（3）上部的另一侧区域有第二金属电极（8）；所述GaN层（3）与第二金属电极（8）呈欧姆接触；所述阻挡层（4）有效阻挡电子向结区的流动，降低器件在暗态下的暗电流。流。流。

【技术实现步骤摘要】
基于氧化镓/阻挡层/氮化镓异质结的紫外光电探测器


[0001]本专利技术涉及一种紫外光探测器件
，尤其是涉及基于氧化镓/阻挡层/氮化镓异质结的紫外光电探测器及其制备方法。

技术介绍

[0002]Ga2O3属于超宽带隙半导体材料，其禁带宽度在4.5～5.5eV，其独特的能带结构使得其具有出较高的光吸收系数，在深紫外区其光吸收系数可达105cm
‑1。此外，这种材料理论击穿场强可达8MV/cm，巴利加优值高达3444，其还具有良好的化学和热的稳定性。以上优点使得Ga2O3在深紫外光探测和功率器件领域表现出广阔的应用潜力。
[0003]在众多光电探测器件结构中，结型器件以其独特的优势被广泛研究。由于Ga2O3材料内部存在强烈自补偿效应，导致其P型掺杂难以获得，利用其它半导体材料与之形成异质结构成为目前最优的选择。其中，Ga2O3/GaN异质结器件在光电探测研究中表现出了较为优良的性能。虽如此，由于Ga2O3和GaN材料间导带带阶相对较小，在反向工作电压下通常会引起较大的暗电流，不利于器件性能的提高。

技术实现思路

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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于氧化镓/阻挡层/氮化镓异质结的紫外光电探测器，其特征在于：所述异质结包括：衬底（1）、缓冲层（2）、GaN层（3）、阻挡层（4）、本征Ga2O3层（5）和n型重掺杂Ga2O3层（6）；衬底（1）、缓冲层（2）、GaN层（3）、阻挡层（4）、本征Ga2O3层（5）和n型重掺杂Ga2O3层（6）由下向上依次排列，所述n型重掺杂Ga2O3层（6）上部有第一金属电极（7）；所述n型重掺杂Ga2O3层（6）与第一金属电极（7）呈欧姆接触；所述GaN层（3）上部的一侧区域被阻挡层（4）覆盖，所述GaN层（3）上部的另一侧区域有第二金属电极（8）；所述GaN层（3）与第二金属电极（8）呈欧姆接触；所述阻挡层（4）有效阻挡电子向结区的流动，降低器件在暗态下的暗电流。2.根据权利要求书1所述的基于氧化镓/阻挡层/氮化镓异质结的紫外光电探测器，其特征在于：所述阻挡层（4）为AlN、MgO、AlScN、AlGaN、ZnMgO或Al2‑
x
Ga
x
O3；厚度为1
‑
50nm。3.根据权利要求书1所述的基于氧化镓/阻挡层/氮化镓异质结的紫外光电探测器，其特征在于：所述衬底（1）为蓝宝石、硅、氮化镓、碳化硅或玻璃。4.根据权利要求书1所述的基于氧化镓/阻挡层/氮化镓异质结的紫外光电探测器，其特征在于：所述GaN层（3）为n型或者p型掺杂态。5.根据权利要求书1所述的基于...

【专利技术属性】
技术研发人员：李炳生，王月飞，刘益春，
申请(专利权)人：东北师范大学，
类型：发明
国别省市：