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本发明涉及一种基于氧化镓/阻挡层/氮化镓异质结的紫外光电探测器，所述异质结包括：衬底（1）、缓冲层（2）、GaN层（3）、阻挡层（4）、本征Ga2O3层（5）和n型重掺杂Ga2O3层（6）；衬底（1）、缓冲层（2）、GaN层（3）、阻挡层（...
该专利属于东北师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过东北师范大学授权不得商用。

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