一种硅基日盲型光敏探测器件制造技术

本发明专利技术公开了一种硅基日盲型光敏探测器件，属于光敏感器件技术领域，包括衬底和两个电极压脚，其中衬底包括下层硅层、中层二氧化硅层和上层硅层；下层硅层镂空形成一深槽孔；上层硅层为薄膜型感光面；薄膜型感光面从下而上依次包括N型层和P型层；电极压脚包括电连接薄膜型感光面的第一电极压脚和第二电极压脚。其中薄膜型感光面吸收光能量并转换成光电流，通过电极压脚输出。本发明专利技术深槽孔的设置极大降低了长波光能量在感光面下方衬底内的吸收，从而实现了在对短波光能量探测的同时，主动屏蔽外界长波光能量的干扰，实现了“日盲型”工作模式，从而提高了短波光能量探测时的信噪比，同时简化了光学系统滤波的难度。时简化了光学系统滤波的难度。时简化了光学系统滤波的难度。

【技术实现步骤摘要】
一种硅基日盲型光敏探测器件


[0001]本专利技术涉及光敏感器件
，尤其涉及一种硅基日盲型光敏探测器件。

技术介绍

[0002]光敏感器件是一种光电信号转换器件，吸收光信号后转换成电流输出，实现对光信号的定量测量。光敏感器件可以实现光电转换的光信号波长范围，取决于光敏感器件衬底材料的禁带宽度。禁带宽度越大，可探测光波长越短。硅的禁带宽度约1.1eV，可转换的光波长范围200
‑
1100nm。同时，短波光能量趋向于在硅基光敏探测器表面转换为电流，长波光能量趋向于在硅基光敏探测器内部转换为电流。因此，在使用硅基光电探测器探测短波光信号时，由于硅材料的宽光谱特性以及波长吸收特点，导致会对额外的长波背景信号同时产生电流，降低了信噪比。
[0003]为了能够获得更高的短波光信号探测信噪比，通常采用的方法包括：
①
采用光学滤波，在硅基光敏探测器前端假装长波截止滤镜，使长波光能量无法到达光敏感面；
②
采用宽禁带非硅材料，如GaN，由于宽禁带材料的可探测波长上限较低，可以自然屏蔽背景中的长波能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅基日盲型光敏探测器件，从下而上依次包括衬底（1）和固定在所述衬底（1）上的两个电极压脚（4），其特征在于，所述衬底（1）从下而上依次包括下层硅层（11）、堆叠在所述下层硅层（11）上方的中层二氧化硅层（12）和堆叠在所述中层二氧化硅层（12）上方的上层硅层（13）；所述下层硅层（11）镂空形成一深槽孔（2），所述深槽孔（2）暴露所述中层二氧化硅层（12）；所述上层硅层（13）为薄膜型感光面（3），所述薄膜型感光面（3）从下而上依次包括堆叠在所述中层二氧化硅层（12）上方的N型层（32）和镶嵌在所述N型层（32）上方的P型层（31）；所述电极压脚（4）包括固定在所述P型层（31）上方的第一电极压脚（41）和固定在所述N型层（32）上方第二电极压脚（42），所述第一电极压脚（41）和第二电极压脚（42）分别电连接薄膜型感光面（3）上的P型层（31）...

【专利技术属性】
技术研发人员：翟厚明，陈永平，马斌，陈世军，徐鹤靓，
申请(专利权)人：南通智能感知研究院，
类型：发明
国别省市：