【技术实现步骤摘要】
一种晶圆双面同步清洗设备及清洗方法
[0001]本专利技术涉及晶圆清洗
，尤其涉及一种晶圆双面同步清洗设备及清洗方法。
技术介绍
[0002]晶圆清洗，是将晶圆在不断被加工成形及抛光处理的过程中，由于与各种有机物、粒子及金属接触而产生的污染物清除的工艺，是晶圆制造过程中的一个重要工艺步骤。
[0003]在需要对晶圆进行双面清洗时，现有的清洗方式通常为分段清洗，如先洗完正面再进行反面的清洗，存在由于清洗时正反两面的受力不均匀，导致清洗过程会产生因为正反两面的液体接触晶圆或是非预期的空气回流现象，从而导致微尘与颗粒的粘附，出现正反两面的蚀刻均匀度存在大幅度落差的问题，且若正面进行清洗时没有对反面清洗，正面受到喷淋液体的冲击以及晶圆旋转的切力会造成晶圆的挪移偏转，会造成对晶圆正面表面在内圈扩散到外圈的每个区域的均匀度不一致。
技术实现思路
[0004]针对现有技术中存在的问题，本专利技术提供一种晶圆双面同步清洗设备，包括：
[0005]工作台，所述工作台上设有晶圆承载平台，用于承载晶圆，所述晶...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆双面同步清洗设备，其特征在于，包括：工作台，所述工作台上设有晶圆承载平台，用于承载晶圆，所述晶圆悬浮于所述晶圆承载平台的晶圆承载面的上方并在所述晶圆承载平台的带动下转动；多个正面清洗机构，设置于所述工作台上并位于所述晶圆承载平台的一侧；中央管路，穿设于所述晶圆承载平台中，所述中央管路的一端朝向背离所述晶圆承载面的方向延伸并连通外部的多个背面清洗管路，所述中央管路的另一端朝向所述晶圆承载面延伸，于所述晶圆承载面上对应于所述中央管路设有阻挡结构环，所述阻挡结构环的高度由所述晶圆承载面的中心向边缘逐渐降低；清洗控制模块，分别连接所述晶圆承载平台、各所述正面清洗机构和各所述背面清洗管路，用于控制所述晶圆承载平台带动所述晶圆旋转，随后依次控制各所述正面清洗机构的喷嘴沿预设路径摆动，在摆动过程中对所述晶圆的正面进行喷淋清洗，并控制各所述背面清洗管路经由所述中央管路对所述晶圆的背面进行同步喷淋清洗，且同步喷淋清洗时保持所述正面清洗机构与所述背面清洗管路喷淋的清洗试剂、所述清洗试剂的速度及流量均相同。2.根据权利要求1所述的晶圆双面同步清洗设备，其特征在于，各所述正面清洗机构分别包括：固定件，所述固定件的一端固定于所述工作台上；摆动件，垂直于所述固定件，所述摆动件的一端与所述固定件的另一端转动连接，所述摆动件的另一端连接所述喷嘴。3.根据权利要求1所述的晶圆双面同步清洗设备，其特征在于，各所述正面清洗机构包括：第一清洗机构，对应喷淋的所述清洗试剂为稀释氢氟酸；第二清洗机构，对应喷淋的所述清洗试剂为功能性超纯水；第三清洗机构，对应喷淋的所述清洗试剂为异丙醇溶剂或氮气；则各所述背面清洗管路分别包括对应喷淋所述稀释氢氟酸的第一清洗管路、对应喷淋所述功能性超纯水的第二清洗管路、对应喷淋所述异丙醇溶剂的第三清洗管路和对应喷淋所述氮气的第四清洗管路。4.根据权利要求3所述的晶圆双面同步清洗设备，其特征在于，所述清洗控制模块包括：第一控制单元，用于控制所述晶圆承载平台带动所述晶圆旋转；第二控制单元，用于控制所述第一清洗机构沿所述预设路径摆动，并在摆动过程中向所述晶圆的正面喷淋所述稀释氢氟酸，以及同步控制所述第一清洗管路经由所述中央管路向所述晶圆的背面喷淋所述稀释氢氟酸；第三控制单元，用于在所述稀释氢氟酸喷淋结束后控制所述第二清洗机构沿所述预设路径摆动，并在摆动过程中向所述晶圆的正面喷淋所述功能性超纯水，以及同步控制所述第二清洗管路经由所述中央管路向所述晶圆的背面喷淋所述功能性超纯水；第四控制单元，用于在所述功能性超纯水喷淋结束后控制所述第三清洗机构沿所述预设路径摆动，并在摆动过程中向所述晶圆的正面喷淋所述异丙醇溶剂，以及同步控制所述第三清洗管路经由所述中央管路向所述晶圆的背面喷淋所述异丙醇溶剂；
第五控制单元，用于在所述丙醇溶剂喷淋结束后控制所述第三清洗机构沿所述预设路径摆动，并在摆动过程中向所述晶圆的正面喷淋所述氮气，以及同步控制所述第四清洗...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈新来，唐宝国，周乾，李盼盼，廖世保，
申请(专利权)人：至微半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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