晶片、半导体装置及晶片的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种可提高生产率的晶片、半导体装置及晶片的制造方法。根据实施方式，晶片包含具有第1面的硅基板和设在第1面上的氮化物半导体层。所述硅基板包含在晶片的X射线图像中能够相互区别的多个第1区域。所述多个第1区域远离所述硅基板的外缘区域。所述多个第1区域中的一个包含沿着第1线方向的多个第1线状体。所述多个第1区域中的另一个包含沿着第2线方向的多个第2线状体。所述第2线方向与所述第1线方向交叉。第1线方向交叉。第1线方向交叉。

【技术实现步骤摘要】
晶片、半导体装置及晶片的制造方法
[0001]本申请以日本专利申请2021
‑
205644号(申请日2021年12月20日)为基础，由该申请享受优先权。本申请通过参照该申请而包含该申请的全部内容。


[0002]本专利技术的实施方式涉及晶片、半导体装置及晶片的制造方法。

技术介绍

[0003]例如，可采用包含氮化物半导体的晶片来制造半导体装置。期望可具有高生产率的晶片。

技术实现思路

[0004]专利技术要解决的问题
[0005]本专利技术的实施方式提供一种可提高生产率的晶片、半导体装置及晶片的制造方法。
[0006]用于解决问题的手段
[0007]根据本专利技术的实施方式，晶片包含具有第1面的硅基板和设在第1面上的氮化物半导体层。所述硅基板包含在所述晶片的X射线图像中能够相互区别的多个第1区域。所述多个第1区域远离所述硅基板的外缘区域。所述多个第1区域中的一个包括沿着第1线方向的多个第1线状体。所述多个第1区域中的另一个包括沿着第2线方向的多个第2线状体。所述第2线方向与所述第1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片，其是具备包含第1面的硅基板和设在所述第1面上的氮化物半导体层的晶片，其中，所述硅基板包含在所述晶片的X射线图像中能够相互区别的多个第1区域，所述多个第1区域远离所述硅基板的外缘区域，所述多个第1区域中的一个包含沿着第1线方向的多个第1线状体，所述多个第1区域中的另一个包含沿着第2线方向的多个第2线状体，所述第2线方向与所述第1线方向交叉。2.根据权利要求1所述的晶片，其中，所述多个第1区域中的一个晶格的偏移方向与所述多个第1区域中的另一个晶格的偏移方向不同。3.根据权利要求1所述的晶片，其中，所述多个第1区域中的所述一个为岛状，所述多个第1区域中的所述另一个为岛状。4.根据权利要求1所述的晶片，其中，所述氮化物半导体层包含：含Al
x1
Ga1‑
x1
N的第1氮化物区域、含Al
x2
Ga1‑
x2
N且含碳的第2氮化物区域、和含Al
x3
Ga1‑
x3
N的第3氮化物区域；其中，0＜x1＜1，0≤x2＜1，0≤x3＜1，所述第1氮化物区域位于所述硅基板与所述第3氮化物区域之间，所述第2氮化物区域位于所述第1氮化物区域与所述第3氮化物区域之间，所述第3氮化物区域不含碳，或所述第3氮化物区域中的碳的浓度低于所述第2氮化物区域中的碳的浓度。5.根据权利要求4所述的晶片，其中，所述氮化物半导体层进一步包含含Al
x4
Ga1‑
x4
N的第4氮化物区域，其中，0＜x4≤1，所述第4氮化物区域位于所述硅基板与所述第1氮化物区域之间。6.根据权利要求5所述的晶片，其中，所述氮化物半导体层进一步包含含Al
x5
Ga1‑
x5
N的第5氮化物区域，其中，0＜x5＜1，x5＜x4，所述第5氮化物区域位...

【专利技术属性】
技术研发人员：田岛纯平，名古肇，彦坂年辉，布上真也，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：