一种基于CdSe/MoS2异质结偏振光电探测器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及光电探测领域，具体为一种基于CdSe/MoS2异质结偏振光电探测器及其制备方法，探测器包括衬底，复合于衬底表面的CdSe/MoS2异质结，沉积于CdSe/MoS2异质结的两端的电极。制备方法为：在衬底表面设置少层的二硫化钼薄膜，得到复合体A；在复合体A中少层二硫化钼薄膜表面设置硒化镉纳米棒，得到复合体B；对复合体B上CdSe/MoS2异质结的两端分别沉积电极，得到偏振光电探测器。本发明专利技术在衬底表面分别设置少层的二硫化钼薄膜和硒化镉薄膜，在CdSe/MoS2异质结的区域设置了电极，通过上述处理，能够有效的提高探测器对偏振光的响应能力。力。力。

【技术实现步骤摘要】
一种基于CdSe/MoS2异质结偏振光电探测器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及光电探测领域，具体为一种基于CdSe/MoS2异质结偏振光电探测器及其制备方法。

技术介绍

[0002]纳米粒子是一种非常活跃材料科学领域，因为它们与量子限制有关，以及有趣的电子性质和较高的体表面积而备受关注。硒化镉是其中的代表之一。硒化镉透光波段广，尤其是在红外波段透过率较高，其较高的原子序数、较大的禁带宽度以及较高的电阻率是制备红外非线性光学器件的优良材料。同时硒化镉拥有优良的机械性能和化学稳定性，是一种可能替代硒、锗、锑化镉等常规核辐射探测材料的新型材料。硒化镉是一种直接跃迁的
Ⅱ‑Ⅵ
族化合物半导体，在常温常压下硒化镉的热力学稳定相为六方纤锌矿晶体结构，具有优异的光电性能，已广泛应用于太阳能电池、光电传感器、发光二极管等领域，并在光催化、光通讯和生物标记等领域的应用中具有突出表现，具有广阔的应用前景。在日常生活中，对于目标信息捕捉光的两个基本特性，即光的波长和强度，这种编码信息转化为人类的视觉信息为图像的色彩与亮度。光的偏振特性是光的固本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于CdSe/MoS2异质结偏振光电探测器，其特征是：包括衬底（1），复合于衬底（1）表面的CdSe/MoS2异质结，沉积于CdSe/MoS2异质结的两端的电极（4）。2.根据权利要求1所述的一种基于CdSe/MoS2异质结偏振光电探测器，其特征是：所述CdSe/MoS2异质结包括硒化镉纳米棒，所述硒化镉纳米棒的直径为10nm～1μm。3.根据权利要求2所述的一种基于CdSe/MoS2异质结偏振光电探测器，其特征是：所述CdSe/MoS2异质结还包括层状二硫化钼，所述层状二硫化钼尺寸为1μm
×
1μm以上。4.一种如权利要求1
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3中任意一项所述的一种基于CdSe/MoS2异质结偏振光电探测器的制备方法，其特征是：包含如下步骤：步骤a：在衬底表面设置少层的二硫化钼薄膜，得到复合体A；步骤b：在所述复合体A中少层二硫化钼薄膜表面设置硒化镉纳米棒，得到复合体B；步骤c：对所述复合体B上CdSe/MoS2异质结的两端分别沉积电极，得到偏振光电探测器。5.根据权利要求4所述的一种基于CdSe/MoS2异质结偏振光电探测器的制备方法，其特征是：所述步骤a中，利用机械剥离方法在衬底表面得到少层的二硫...

【专利技术属性】
技术研发人员：李金华，王子恒，楚学影，石凯熙，翟英娇，徐铭泽，
申请(专利权)人：长春理工大学，
类型：发明
国别省市：