具有背侧功率输送的集成电路结构制造技术

描述了具有背侧功率输送的集成电路结构。在示例中，一种集成电路结构包括：在单元边界内的器件层，该器件层具有正侧和背侧，并且该器件层包括源极或漏极结构。源极或漏极沟槽触点结构在器件层的正侧上。源极或漏极沟槽触点结构耦合到源极或漏极结构。金属层在器件层的背侧上。过孔结构将金属层耦合到源极或漏极沟槽触点结构。过孔结构与单元边界的单元行边界重叠并且平行。重叠并且平行。重叠并且平行。

【技术实现步骤摘要】
具有背侧功率输送的集成电路结构


[0001]本公开内容的实施例属于高级集成电路结构制造领域，并且特别地，是具有背侧功率输送的集成电路结构。

技术介绍

[0002]在过去的几十年里，集成电路中特征的缩放已经成为不断增长的半导体工业背后的驱动力。缩放到越来越小的特征使得能够在半导体芯片的有限基板面积(real estate)上增加功能单元的密度。例如，缩小晶体管尺寸允许在芯片上并入更多数量的存储器或逻辑器件，从而有助于制造具有增加容量的产品。然而，对越来越大容量的驱动并不是没有问题。优化每个器件的性能的必要性变得日益重要。
[0003]常规和当前已知的制造工艺中的变化性可能会限制将它们进一步扩展到10纳米节点或亚10纳米节点范围的可能性。因此，未来技术节点所需的功能部件的制造可能要求在当前制造工艺中引入新方法或整合新技术，或者用其取代当前制造工艺。
[0004]在集成电路器件的制造中，随着器件尺寸持续按比例缩放，多栅极晶体管(例如，三栅极晶体管)已经变得更加普遍。三栅极晶体管一般地制造在体硅衬底或绝缘体上硅衬底上。在一些情况下，优选本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路结构，包括：在单元边界内的器件层，所述器件层具有正侧和背侧，并且所述器件层包括源极或漏极结构；在所述器件层的所述正侧上的源极或漏极沟槽触点结构，所述源极或漏极沟槽触点结构耦合到所述源极或漏极结构；在所述器件层的所述背侧上的金属层；以及过孔结构，将所述金属层耦合到所述源极或漏极沟槽触点结构，所述过孔结构与所述单元边界的单元行边界重叠并且平行。2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述过孔结构包括沿所述单元行边界的断口。3.根据权利要求2所述的集成电路结构，其中，所述器件层的栅极结构穿过所述断口。4.根据权利要求2所述的集成电路结构，其中，第二源极或漏极沟槽触点结构穿过所述断口。5.根据权利要求4所述的集成电路结构，其中，所述第二源极或漏极沟槽触点结构不耦合到所述器件层的所述背侧。6.根据权利要求1、2或3所述的集成电路结构，其中，所述过孔结构还耦合到第二源极或漏极沟槽触点结构，所述第二源极或漏极沟槽触点结构位于所述器件层的所述正侧上。7.根据权利要求1、2、3、4或5所述的集成电路结构，其中，所述器件层包括从由鳍状物、纳米线和纳米带组成的组中选择的沟道结构。8.一种集成电路结构，包括：在单元边界内的器件层，所述器件层具有正侧和背侧，并且所述器件层包括栅极结构；在所述器件层的所述背侧上的金属层；以及过孔结构，将所述金属层耦合到所述栅极结构，所述过孔结构与所述单元边界的单元行边界重叠并且平行。9.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述过孔结构还耦合到第二栅极结构。10.根据权利要求8或9所述的集成电路结构，其中，所述器件层包括从由鳍状物、纳米线...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：