具有用于改进接触电阻的外延源极/漏极衬层的晶体管制造技术

一种集成电路(IC)结构、IC器件、IC器件组件及其形成方法。IC结构包括晶体管器件，晶体管器件包括：沟道结构，包括半导体材料；栅极堆叠体，包括金属，栅极堆叠体在沟道结构上；源极结构，在栅极堆叠体的第一侧处的第一沟槽中；漏极结构，在栅极堆叠体的第二侧处的第二沟槽中；源极结构和漏极结构中的各个结构包括源极或漏极(源极/漏极)衬层，源极或漏极衬层包括与第一沟槽和第二沟槽中的对应沟槽的表面共形的掺杂外延层；填充结构，填充第一沟槽和第二沟槽中的对应沟槽的一部分，填充结构与源极/漏极衬层相邻并且与源极/漏极衬层在组成上不同；以及金属触点结构，耦合到源极结构和漏极结构中的相应结构。漏极结构中的相应结构。漏极结构中的相应结构。

【技术实现步骤摘要】
具有用于改进接触电阻的外延源极/漏极衬层的晶体管


[0001]本公开内容属于高级集成电路结构制造领域，并且特别地，是10纳米节点和更小的集成电路结构制造和所得结构。

技术介绍

[0002]半导体器件是利用半导体材料(例如，硅(Si)、锗(Ge)和硅锗(SiGe))的电子性质的电子部件。场效应晶体管(FET)是包括三个端子：栅极、源极和漏极的半导体器件。FET使用由栅极施加的电场来控制沟道的导电性，电荷载流子(例如，电子或空穴)通过沟道从源极流到漏极。在电荷载流子是电子的情况下，FET被称为n沟道器件，并且在电荷载流子是空穴的情况下，FET被称为p沟道器件。用于Si、Ge和SiGe的标准掺杂剂包括用于p型(受主)掺杂剂的硼(B)和用于n型(施主)掺杂剂的磷(P)或砷(As)。一些FET具有称为主体或衬底的第四端子，其可以用于偏置晶体管。另外，金属氧化物半导体FET(MOSFET)包括栅极与沟道之间的栅极电介质。MOSFET也可以被称为金属绝缘体半导体FET(MISFETS)或绝缘栅极FET(IGFET)。互补MOS(CMOS)结构使用p沟道MOS本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路(IC)结构，包括：衬底；晶体管器件，在所述衬底上，所述晶体管器件包括：沟道结构，包括半导体材料；栅极堆叠体，包括金属，所述栅极堆叠体在所述沟道结构上；源极结构，在所述栅极堆叠体的第一侧处的第一沟槽中；漏极结构，在所述栅极堆叠体的第二侧处的第二沟槽中；所述源极结构和所述漏极结构中的各个结构包括源极或漏极(源极/漏极)衬层，所述源极或漏极(源极/漏极)衬层包括与所述第一沟槽和所述第二沟槽中的对应沟槽的表面共形的掺杂外延层；以及填充结构，填充所述第一沟槽和所述第二沟槽中的对应沟槽的一部分，所述填充结构与所述源极/漏极衬层相邻并且与所述源极/漏极衬层在组成上不同；以及金属触点结构，耦合到所述源极结构和所述漏极结构中的相应结构。2.根据权利要求1所述的IC结构，其中，所述掺杂外延层包括IV族半导体材料或III
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V族半导体材料中的一种。3.根据权利要求2所述的IC结构，其中，所述掺杂外延层包括硅、锗、锡、碳、铟、镓、铝、砷、氮、磷、砷、或锑中的一种或多种。4.根据权利要求2所述的IC结构，其中，所述掺杂外延层包括与所述沟道结构的所述半导体材料在同一族中的半导体材料。5.根据权利要求1
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4中任一项所述的IC结构，其中，所述掺杂外延层包括硼掺杂的硅锗。6.根据权利要求1所述的IC结构，其中，所述掺杂外延层是第一掺杂外延层，所述源极/漏极衬层包括设置在所述第一掺杂外延层上、与所述第一掺杂外延层共形、并且与所述第一掺杂外延层在组成上不同的第二掺杂外延层。7.根据权利要求6所述的IC结构，其中，所述第一掺杂外延层包括硼掺杂的硅锗，并且所述第二掺杂外延层包括硼掺杂的锗并且具有0％至5％的硅原子百分比。8.根据权利要求1
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4中任一项所述的IC结构，其中，所述金属触点结构中的各个金属触点结构包括所述填充结构，并且延伸到所述第一沟槽和所述第二沟槽中的对应沟槽中到达所述栅极堆叠体的下表面下方的深度。9.根据权利要求8所述的IC结构，其中，所述金属触点结构中的各个金属触点结构延伸到所述第一沟槽和所述第二沟槽中的对应沟槽中，使得所述各个金属触点结构与所述源极/漏极衬层相邻。10.根据权利要求1所述的IC结构，其中，所述金属触点结构中的各个金属触点结构包括与所述金属触点结构相邻的包括氮化钛的层、以及与所述源极/漏极衬层相邻的包括钛的层。11.根据权利要求1所述的IC结构，其中，所述源极结构和所述漏极结构中的各个结构包括所述填充结构，所述填充结构包括设置在所述源极/漏极衬层上的掺杂外延结构，所述掺杂外延结构具有与所述掺杂外延层的上表面共形的下表面、以及在所述第一沟槽或所述第二沟槽中的所述对应沟槽的百分之五十深度位置之上的上表面。
12.根据权利要求11所述的IC结构，其中，所述掺杂外延结构的所述上表面在所述栅极堆叠体的下表面之上。13.一种集成电路(IC)器件，包括：衬底；晶体管器件的阵列，在所述衬底上，所述阵列的所述晶体管器件中的至少一些晶体管器件中的各个晶体管器件包括：沟道结构，包括半导体材料；栅极堆叠体，包括金属，所述栅极堆叠体在所述沟道结构上；源极结构，在所述栅极堆叠体的第一侧处的第一沟槽中；漏极结构，在所述栅极堆叠体的第二侧处的第二沟槽中；所述源极结构和所述漏极结构中的各个结构包括源极或漏极(源极/漏极)衬层，所述源极或漏极(源极/漏极)衬层包括与所述第一沟槽和所述第二沟槽中的对应沟槽的表面共形的掺杂外延层；以及填充结构，填充所述第一沟槽和所述第二沟槽中的对应沟槽的一部分，所述填充结构与所述源极/漏极衬层相邻并且与所述源极/漏极衬层在组成上不同；以及金属触点结构，耦合到所述源极结构和所述漏极结构中的相应结构。14.根据权利要求13所述的IC器件，其中，所述掺杂外延层包括硅、锗、锡、碳、铟、镓、铝、砷、氮、磷、砷、或锑中的一种或多种。15.根据权利要求14所述的IC器件，其中，所述掺杂外延层包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：C，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：