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一种集成电路(IC)结构、IC器件、IC器件组件及其形成方法。IC结构包括晶体管器件，晶体管器件包括：沟道结构，包括半导体材料；栅极堆叠体，包括金属，栅极堆叠体在沟道结构上；源极结构，在栅极堆叠体的第一侧处的第一沟槽中；漏极结构，在栅极堆叠...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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