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描述了具有背侧功率输送的集成电路结构。在示例中，一种集成电路结构包括：在单元边界内的器件层，该器件层具有正侧和背侧，并且该器件层包括源极或漏极结构。源极或漏极沟槽触点结构在器件层的正侧上。源极或漏极沟槽触点结构耦合到源极或漏极结构。金属层在...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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