【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括可作为剂量计操作的单元部分的数据存储装置及操作数据存储装置的方法
[0001]本公开涉及一种数据存储装置、一种电子设备以及一种操作数据存储装置的方法。
[0002]本专利申请要求德国专利申请102020126995.1的优先权，其公开内容通过引用并入本文。
技术介绍
[0003]几十年来，存储器技术已经成功地缩小了规模，以更低的位成本实现了更高的速度和更高的存储芯片密度。电子器件中的电路可靠性的问题总是与集成一起进行。事实上，技术降级恰恰受限于可靠性问题本身。在辐射活跃环境中，以可靠性为导向的设计可能显得更为重要并需要特别的关注。存储器当然也不例外，因为它们是几乎每个电子系统的核心部分。因此它们必须承受同样的环境。历来有许多解决方案可以强化非易失性存储器，这取决于所考虑的应用，从使用创新材料到智能布局技术，直到纠错编码和电路冗余的更高级解决方案。此外，存储器结构历来也被用作剂量计，特别是对于那些利用电荷对总电离剂量(TID)的内在敏感性的基于电荷的结构。
[0004]两个问题是绑定在一起的，即一方面具有耐...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种数据存储装置，其包括集成电路，所述集成电路还包括控制单元(100)和基于电荷的存储器单元的存储器阵列(400)，其中：
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所述存储器阵列(400)包括能作为存储器操作的第一子部分(410)，并包括能作为剂量计操作的第二子部分(420)；
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所述控制单元(100)可操作以提供参考电流(Iref)并且参考所述参考电流(Iref)执行存储器访问操作以访问存储器；和
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所述控制单元(100)还可操作以在所述第二子部分(420)中通过利用存储器访问操作来分析读取电流(Iread)的统计分布，其中所述分析涉及：
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对所述存储器访问操作的逻辑读取错误进行计数，和
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根据计数的逻辑读取错误的数量校准所述参考电流(Iref)，该计数的逻辑读取错误的数量还指示总电离剂量TID。2.根据权利要求1所述的装置，还包括可操作以用于存储器访问操作的列控制块(200)并且包括比较器，并且其中在所述存储器访问操作期间，所述比较器可操作以将读取电流与所述参考电流进行比较。3.根据权利要求2所述的装置，其中：
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所述比较器包括配置在单端结构或差分结构中的电流感测放大器(SA)，和
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所述电流感测放大器(SA)可操作以比较读取电流(Iread)与所述参考电流(Iref)，和/或
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所述列控制块(200)还包括数据缓冲器(210)和位线驱动器(220)，
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行控制块(300)包括字线驱动器(310)。4.根据权利要求2或3所述的装置，其中所述控制块(100)包括：
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计数器，用于根据存储器单元的数量来在所述第二子部分(420)中分析读取电流(Iread)的统计分布，其中，所述分析涉及：
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使用所述电流感测放大器(SA)，连续比较来自读取电流的统计分布的读取电流(Iread)与所述参考电流(Iref)，
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根据所述比较是否满足比较标准，为每次比较生成逻辑TRUE或FALSE信号，和
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对逻辑FALSE信号的数量计数，作为计数的逻辑读取错误的数量。5.根据权利要求1至4之一所述的装置，其中所述控制块(100)可操作以通过执行以下步骤来分析读取电流(Iread)的统计分布：
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通过将第一存储值写入所述第二子部分(420)的基于电荷的存储器单元，将数据存储在所述存储器阵列(400)中，
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分别从所述第二子部分(420)的基于电荷的存储器单元读取第二存储值，和
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对第二子部分(420)的返回逻辑FALSE信号的基于电荷的存储器单元的数量进行计数，从而指示高于所述参考电流(Iref)的读取电流(Iread)并指示逻辑读取错误。6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述控制块(100)可操作以根据计数的逻辑读取错误的数量来校准所述参考电流(Iref)，并使用经校准的参考电流(Iref')作为参考电流(Iref)来对存储器单元执行存储器访问操作。7.根据权利要求1至6之一所述的装置，其中，所述第一子部分(410)的基于电荷的存储器单元的数量大于所述第二子部分(420)的基于电荷的存储器单元的数量。
8.根据权利要求1至7之一所述的装置，其中，所述第二子部分(420)包括至少一个具有相同编程...
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