基于读取状态刷新相邻存储器胞元制造技术

本公开涉及基于读取状态刷新相邻存储器胞元。本发明专利技术提供与存储器装置有关的系统、方法和设备。在一种方法中，交叉点存储器阵列包含存储器胞元。媒体控制器读取一或多个第一存储器胞元，且确定读取状态。所述读取状态指示读取所述第一存储器胞元时的错误。响应于此错误，所述控制器刷新所述第一存储器胞元。所述控制器使用所述读取状态来确定与所述第一存储器胞元相关联的零到一故障。如果这些故障的数目超出阈值，那么将刷新应用于所述第一存储器胞元的相邻存储器胞元。所述相邻存储器胞元的物理地址是由所述控制器依据所述第一存储器胞元的物理地址确定。器胞元的物理地址确定。器胞元的物理地址确定。

【技术实现步骤摘要】
基于读取状态刷新相邻存储器胞元


[0001]本文中所公开的至少一些实施例大体上涉及存储器装置，且更明确地说但不限于，涉及确定存储器装置中的一或多个存储器胞元的读取状态，且基于所述读取状态刷新一或多个相邻存储器胞元。

技术介绍

[0002]存储器装置可用于各种电子装置中，例如，计算机、蜂窝电话、PDA、数据记录器或导航设备，仅举几个实例。举例来说，可使用各种类型的非易失性存储器装置，例如固态硬盘(SSD)、NAND或NOR快闪存储器或相变存储器，等等。一般来说，写入或编程操作可用于存储信息，而读取操作可用于检索所存储的信息。
[0003]相变存储器(PCM)可至少部分地基于一或多种特定相变材料的行为和特性而操作，所述材料例如硫属化物合金和/或碲化锗锑(GST)，仅举几个实例。此类材料的结晶与非晶状态可具有不同电阻率，因此呈现可存储信息的基础。非晶、高电阻状态可表示所存储的第一二进制状态，且结晶、低电阻状态可表示所存储的第二二进制状态。当然，所存储的信息的此二进制表示仅为实例。举例来说，相变存储器还可用于存储由不同程度的相变材料电阻率表示的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种系统，其包括：存储器阵列，其包括至少一个第一存储器胞元；以及控制器，其经配置以：读取所述第一存储器胞元；确定对所述第一存储器胞元的读取状态；响应于确定所述读取状态，刷新所述第一存储器胞元；确定与所述第一存储器胞元相关联的错误；基于所述错误确定是否满足至少一个准则；以及响应于确定满足所述准则：使用从所述第一存储器胞元的物理地址的至少一个偏移来确定至少一个第二存储器胞元的物理地址；以及将写入刷新应用于所述第二存储器胞元。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述至少一个第一存储器胞元为：个别存储器胞元；或与所述存储器阵列的存储器单元相关联的多个胞元。3.根据权利要求1所述的系统，其中所述第二存储器胞元与所述第一存储器胞元在同一字线上，或与所述第一存储器胞元在同一位线上。4.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器进一步经配置以确定与所述存储器阵列相关联的至少一个温度，且其中所述准则是基于所述温度而调整。5.根据权利要求1所述的系统，其中所述至少一个偏移包括位线偏移和字线偏移。6.根据权利要求1所述的系统，其中通过以下各者中的至少一者确定所述至少一个偏移：将相应第一值相加到每一第一存储器胞元的位线编号或从所述位线编号减去所述相应第一值，或将相应第二值相加到每一第一存储器胞元的字线编号或从所述字线编号减去所述相应第二值。7.根据权利要求6所述的系统，其中所述相应第一值和第二值中的每一者具有值1或2。8.根据权利要求1所述的系统，其中：所述至少一个准则包含第一阈值和第二阈值；当所述错误的数目超出所述第一阈值时，所述至少一个第二存储器胞元为第一胞元集合；当所述错误的所述数目超出所述第二阈值时，所述至少一个第二存储器胞元为第二胞元集合；所述第二阈值大于所述第一阈值；且所述第二集合大于所述第一集合。9.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器进一步经配置以：确定温度；以及基于所述所确定温度调整所述至少一个准则。10.根据权利要求9所述的系统，其中所述温度是上面形成有所述存储器阵列的半导体裸片的温度。11.根据权利要求9所述的系统，其中所述准则为阈值，且所述阈值随温度而变。
12.根据权利要求1所述的系统，其中所述错误为零到一故障。13...

【专利技术属性】
技术研发人员：张立德，郎慕蓉，周振明，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：