功率半导体模块制造技术

本公开提供了功率半导体模块，其中引线框架焊盘延伸以形成源极引线，功率半导体裸晶的源极电极电连接到引线框架焊盘，漏极电极与引线框架焊盘绝缘，并且引线框架焊盘的一部分暴露于模制件的外部。露于模制件的外部。露于模制件的外部。

【技术实现步骤摘要】
功率半导体模块


[0001]本公开涉及功率半导体模块。

技术介绍

[0002]将在诸如转换器或逆变器等的用于处理高功率的装置中使用的半导体称为功率半导体。功率半导体例如可以是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)或二极管，并且可以具有内部压力大并且可以流动高电流的特性。
[0003]由于高的内部压力和高电流，功率半导体可能具有大的开关损耗和/或大的传导损耗。如果功率半导体中的损耗大，则散热量增加。功率半导体可能由于开关损耗和/或传导损耗而具有大的散热量。
[0004]如果散热量未被控制到适当的水平，则装置的物理性质可能会改变，并且功率半导体可能无法进行其自身的功能。为了防止这样的问题，可以将散热部件添加到功率半导体。功率半导体模块可以在一个封装内至少包括功率半导体，并且可以具有适当的散热形式。
[0005]功率半导体模块中所包括的散热部件可以根据散热部件被布置的位置而在散热性能方面具有大的差异。因为散热部件被布置在模制件内，所以传统的功率半导体模块不具有高散热性能。
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率半导体模块，包括：引线框架焊盘；金属板，其在与所述引线框架焊盘绝缘的状态下布置在所述引线框架焊盘上；功率半导体裸晶，其具有形成在所述功率半导体裸晶的一侧上的第一电极和形成在所述功率半导体裸晶的另一侧上的第二电极，所述第一电极朝向所述金属板布置；第一引线，其通过所述金属板电连接到所述第一电极；以及第二引线，其从所述引线框架焊盘延伸并且电连接到所述第二电极。2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述第一引线通过布线电连接到所述金属板。3.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中：所述功率半导体裸晶包括与所述第二电极的一侧相同的一侧上所形成的栅极电极，以及所述功率半导体模块还包括通过布线而电连接到所述栅极电极的栅极引线。4.根据权利要求1所述的功率半导体模块，还包括包围所述功率半导体裸晶的模制件，其中，所述引线框架焊盘的一部分暴露于所述模制件的外部。5.根据权利要求4所述的功率半导体模块，其中，与所述引线框架焊盘的一个面相对的面的一部分在所述模制件中被布置为与所述金属板热接触，并且...

【专利技术属性】
技术研发人员：金泰龙，金德秀，文东佑，
申请(专利权)人：LX半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：