覆晶封装结构及其制造方法技术

本申请提供一种覆晶封装结构及其制造方法，其中，该制造方法的步骤包含提供至少一个硅基板，硅基板具有对接面，且对接面上附设有至少一个导电基座；在导电基座上覆盖石墨烯铜层；在对接面上叠加覆盖光阻层，蚀刻光阻层在对应导电基座处形成凹穴，且石墨烯铜层对应导电基座的部分露出在凹穴的底部；在石墨烯铜层上电镀铜材料，且铜材料在凹穴内累积而形成铜柱；去除光阻层及石墨烯铜层被光阻层所覆盖的其余部分。其余部分。其余部分。

【技术实现步骤摘要】
覆晶封装结构及其制造方法


[0001]本申请涉及晶片封装
，尤其涉及一种覆晶封装结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]现今的晶片封装制程中，晶片与基板间的电导通方式常见有打线接合(Wire Bonding)或者覆晶接合(Flip Chip Bonding)。随着积体电路技术不断微缩，朝高频、高脚数发展，传统打线接合封装已无法满足电性上的要求。相较于打线接合，覆晶接合方式在相同的表面积中可配置更多的脚位。覆晶封装(Flip Chip)是将晶面朝下借由其晶面上的铜柱作为接脚而与基板接合。其除了具有提高晶片脚位的密度之外，更可以降低噪声的干扰、强化电性的效能、提高散热能力及缩减封装体积等优点。覆晶封装结构的铜柱接脚借由金属层(Under Bump Metallization，简称UBM)而连接晶片上电路的脚位导接点。UBM金属层通常是由多层金属层堆叠所构成的，例如一种现有的UBM金属层结构覆盖于基板上金属导接点(pad，常见为铝)的钛金属层以及进一步覆盖于钛金属层的铜金属层，其借由钛金属层结合金属导接点及铜金属层以利于进一步在铜金属层上电镀铜而形成铜柱接脚(bump)。其钛金属材料本身价格较高且UBM金属层需逐层溅镀或蒸镀，制程成本也不易减低。
[0003]有鉴于此，本专利技术人遂针对上述现有技术，特潜心研究并配合学理的运用，尽力解决上述技术问题，即成为本专利技术人改良的目标。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种覆晶封装结构及其制造方法，且其覆晶封装结构的铜柱接脚以单层金属层接合于硅基板。
[0005]本申请提供一种覆晶封装结构制造方法，其步骤包含：提供至少一个硅基板，硅基板具有对接面，且对接面上附设有至少一个导电基座；在导电基座上覆盖石墨烯铜层；在对接面上叠加覆盖光阻层，蚀刻光阻层在对应导电基座处形成凹穴，且石墨烯铜层对应导电基座的部分露出在凹穴的底部；在石墨烯铜层上电镀铜材料，且铜材料在凹穴内累积而形成铜柱；去除光阻层及石墨烯铜层被光阻层所覆盖的其余部分。
[0006]本申请的覆晶封装结构制造方法，其步骤中包含：在硅基板的对接面上叠加覆盖钝化层，且蚀刻钝化层使导电基座露出；在钝化层上覆盖石墨烯铜层，且石墨烯铜层覆盖露出的导电基座。
[0007]在一种实施方式中，石墨烯铜层溅镀或是蒸镀在钝化层上。
[0008]本申请的覆晶封装结构制造方法，其硅基板的对接面上覆盖有钝化层且导电基座露出钝化层。
[0009]在一种实施方式中，石墨烯铜层包含铜本体，铜本体为层状且覆盖导电基座，铜本体内嵌固有多个石墨烯片且多个石墨烯片分散分布在铜本体内。
[0010]本申请的覆晶封装结构制造方法，其还包含步骤：在铜柱顶部电镀焊料。
[0011]在一种实施方式中，焊料填充在凹穴内。
[0012]本申请的覆晶封装结构制造方法，其中焊料为至少包含锡的合金。
[0013]在一种实施方式中，焊料还包含银、镍或石墨烯。
[0014]本申请的覆晶封装结构制造方法，其中步骤中可以提供晶片且硅基板形成在晶片上，或者提供晶圆且硅基板形成在晶圆上。
[0015]本申请的覆晶封装结构制造方法，其中导电基座为铝制。
[0016]本申请另提供一种覆晶封装结构，其包含硅基板、单一石墨烯铜层及铜柱。硅基板具有对接面，且对接面上附设有至少一个导电基座。石墨烯铜层覆盖在导电基座上。铜柱立设在对接面上且连接于石墨烯铜层。
[0017]本申请的覆晶封装结构，其石墨烯铜层的厚度介于0.01μm至1.5μm之间。
[0018]在一种实施方式中，石墨烯铜层包含铜本体，铜本体为层状且覆盖硅基板的对接面，铜本体内嵌固有多个石墨烯片且多个石墨烯片分散分布在铜本体内。
[0019]在一种实施方式中，铜本体的厚度介于0.01μm至1.5μm之间。
[0020]本申请的覆晶封装结构，其铜柱顶部设有焊料。
[0021]在一种实施方式中，焊料为至少包含锡的合金。
[0022]在一种实施方式中，焊料还包含银、镍或石墨烯。
[0023]本申请的覆晶封装结构制造方法，其覆晶封装结构中的石墨烯铜层具有石墨烯，石墨烯与铜、铝等金属的结合力相较于金属之间的结合力更强，因此可以抵抗更大的剪应力，故其能够以单层镀层作为接脚下金属层使用以连结铜柱与铝制导电基座。
附图说明
[0024]图1及图2是本申请较佳实施例的覆晶封装结构制造方法的步骤流程图。
[0025]图3至图11是本申请较佳实施例的覆晶封装结构制造方法的各步骤示意图。
[0026]图12是本申请较佳实施例的覆晶封装结构的示意图。
[0027]附图标记说明：
[0028]100：硅基板；
[0029]101：对接面；
[0030]110：导电基座；
[0031]300：钝化层；
[0032]400：石墨烯铜层；
[0033]410：铜本体；
[0034]420：石墨烯片；
[0035]500：光阻层；
[0036]501：凹穴；
[0037]600：铜柱；
[0038]700：焊料；
[0039]a～g：步骤。
具体实施方式
[0040]参阅图1及图2，本申请的较佳实施例提供一种覆晶封装结构制造方法，其包含下
列的步骤：
[0041]首先，如图1及图3所示，于步骤a中提供至少一个硅基板100，硅基板100具有用于对接封装的对接面101，且该对接面101上附设有至少一个导电基座110，其导电基座110较佳地为铝制。较佳地，硅基板100上布设有电路，导电基座110电性连接至硅基板100上的电路，导电基座110可以是电路的一部分，因此一般而言对接面101上附设有多个(至少两个)导电基座110。于本步骤中，依据制程需求的不同，可以提供单一晶片作为硅基板100，或者也可以提供晶圆作为硅基板100且晶圆包含了多个晶片以供进行批次封装。为便于说明，本申请实施例中仅示出硅基板100的局部以及其中一个导电基座110处的剖视图代表说明。
[0042]如图1及图6所示，接续步骤a，于步骤b中在导电基座110上覆盖石墨烯铜层400作为铜柱600接脚下金属层(Under Bump Metallization，简称UBM)。于本实施例中，石墨烯铜层400以石墨烯铜靶材借由溅镀或是蒸镀的制程而镀着在导电基座110上。如图7所示，石墨烯铜层400的厚度介于0.01μm至1.5μm之间，石墨烯铜层400的结构包含铜本体410，铜本体410为层状且覆盖硅基板100的对接面101，其铜本体410的厚度介于0.01μm至1.5μm之间，铜本体410内嵌固有多个石墨烯片420且石墨烯片420分散分布在铜本体410内。石墨烯片420为碳原子以六边形排列键结而构成的平面状结构的微小碎片。
[0043]如图2及图5至图6所示，具体而言，步骤b中可包含下述的子步骤：如图4所示的步骤b本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种覆晶封装结构制造方法，其特征在于，包含：a)提供至少一个硅基板，所述硅基板具有对接面，且所述对接面上附设有至少一个导电基座；b)在所述导电基座上覆盖石墨烯铜层；c)在所述对接面上叠加覆盖光阻层，蚀刻所述光阻层在对应所述导电基座处形成凹穴，且所述石墨烯铜层对应所述导电基座的部分露出在所述凹穴的底部；d)在所述石墨烯铜层上电镀铜材料，且所述铜材料在所述凹穴内累积而形成铜柱；及e)去除所述光阻层及所述石墨烯铜层被所述光阻层所覆盖的其余部分。2.如权利要求1所述的覆晶封装结构制造方法，其特征在于，步骤b中包含步骤：b1)在所述硅基板的所述对接面上叠加覆盖钝化层，且蚀刻所述钝化层使所述导电基座露出；以及b2)在所述钝化层上覆盖所述石墨烯铜层，且所述石墨烯铜层覆盖露出的所述导电基座。3.如权利要求2所述的覆晶封装结构制造方法，其特征在于，所述石墨烯铜层溅镀或是蒸镀在所述钝化层上。4.如权利要求1所述的覆晶封装结构制造方法，其特征在于，所述硅基板的所述对接面上覆盖有钝化层且所述导电基座露出所述钝化层。5.如权利要求1所述的覆晶封装结构制造方法，其特征在于，所述石墨烯铜层包含铜本体，所述铜本体为层状且覆盖所述导电基座，所述铜本体内嵌固有多个石墨烯片且多个所述石墨烯片分散分布在所述铜本体内。6.如权利要求1所述的覆晶封装结构制造方法，其特征在于，接续步骤d还包含步骤：f)在所述铜柱顶部电镀焊料。7.如权利要求6所述的覆晶封装结构制造方法，其特征在于，所述焊料填充在所述凹穴内。8.如权利要求6...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡宪聪，施养明，许宏源，
申请(专利权)人：慧隆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：