一种化学机械抛光液及其使用方法技术

技术编号:37980145 阅读:23 留言:0更新日期:2023-06-30 09:55
本发明专利技术提供一种化学机械抛光液,包括:氧化铈颗粒,阴离子化合物,阳离子化合物,抑制剂和pH调节剂;其中所述抑制剂为非离子高分子化合物;所述化学机械抛光液对于绝缘膜相/多晶硅的抛光选择比高于100。本发明专利技术中的化学机械抛光液,能够有效保持绝缘层对停止层较大的抛光选择比,并且,所述停止层为多晶硅停止层。所述停止层为多晶硅停止层。

【技术实现步骤摘要】
一种化学机械抛光液及其使用方法


[0001]本专利技术涉及化学机械抛光领域,尤其涉及一种化学机械抛光液及其使用方法。

技术介绍

[0002]近年来半导体材料制作中,其高密度化和微细化的技术不断加深,越来越重要。作为平坦化技术的CMP技术,也越来越受到重视。
[0003]现有技术中,化学机械抛光成为在浅沟槽隔离的形成以及金属前绝缘材料或层间绝缘材料的平坦化的所必须的技术。在STI配方中,除了含有研磨颗粒,通常还含有各种添加剂以及抑制剂和pH调节剂等。
[0004]作为CMP抛光液使用最多的是二氧化硅系的抛光液,但氧化铈的抛光液也在不断的壮大。氧化铈抛光液具有其特点,例如,相较于二氧化硅系CMP,氧化铈颗粒在更低的含量时仍能提供高速的抛光速率,同时氧化铈抛光液能够获得更高的选择比,该特性在其STI结构抛光中有着重要的应用价值。对于不同的停止层,比如有氮化硅或者多晶硅,需要有很高的选择性,亟需一种对氧化硅/多晶硅停止层的具有较高抛光选择比的化学机械抛光液。

技术实现思路

[0005]针对上述技术问题,本专利技术中提出一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化学机械抛光液,其特征在于,包括:氧化铈颗粒,阴离子化合物,阳离子化合物,抑制剂和pH调节剂;其中所述抑制剂为非离子高分子化合物;所述化学机械抛光液对于绝缘膜相/多晶硅的抛光选择比高于100。2.如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述氧化铈颗粒为溶胶型氧化铈颗粒。3.如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述阴离子化合物选自磷酸化合物或阴离子聚合物。4.如权利要求3所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述磷酸化合物选自磷酸、磷酸钾或磷酸氢二钾;所述阴离子聚合物选自聚丙烯酸铵盐、聚丙烯酸铵盐与聚天冬氨酸的混合液。5.如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述阴离子化合物与所述氧化铈颗粒的质量百分比之比为0.01

2。6.如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述阳离子化合物为聚季铵盐。7.如权利要求6所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述聚季铵盐选自聚季铵盐2、聚季铵盐6、聚季铵盐7、聚季铵盐28和...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐鹏宇王兴平李守田
申请(专利权)人:安集微电子科技上海股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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