一种绝缘膜抛光液及其使用方法技术

本发明专利技术提供了一种绝缘膜抛光液，包括：氧化铈，阴离子型高分子，阳离子型高分子，绝缘膜抑制剂和水；所述绝缘膜抛光液的抛光速率的图形抛光速率为无图形抛光速率5倍以上。本发明专利技术中的绝缘膜抛光液具有较好的稳定性，并且能够实现自动停止功能。实现自动停止功能。

【技术实现步骤摘要】
一种绝缘膜抛光液及其使用方法


[0001]本专利技术涉及化学抛光领域，尤其涉及一种绝缘膜抛光液及其使用方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路的快速发展，其逻辑结构也逐渐复杂，芯片的表面设计了许多具有非常高的台阶，而需要对所述台阶实现平坦化，同时停止层为绝缘的氧化物。因此，在芯片表面有台阶的情况下，需要提高抛光液对晶圆表面的抛光速率，当台阶削平后，所述抛光液的抛光速率也随时降低，由此可以实现抛光自动停止。因此，本领域亟需一种能够实现抛光自动停止的绝缘膜抛光液。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种绝缘膜抛光液，能够有效抛光图形晶圆表面的花纹，并且能够实现在氧化物层自动停止抛光。
[0004]具体的，本专利技术提供一种绝缘膜抛光液，包括氧化铈，阴离子型高分子，阳离子型高分子，绝缘膜抑制剂和水；所述绝缘膜抛光液的抛光速率的图形抛光速率为无图形抛光速率5倍以上。
[0005]优选的，所述阴离子型高分子选自含有羧基、磺酸基、磷酸根的化合物。
[0006]优选的，所述含有羧基的高分子化合物为聚羧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种绝缘膜抛光液，其特征在于，包括：氧化铈，阴离子型高分子，阳离子型高分子，绝缘膜抑制剂和水；其中,所述绝缘膜抛光液的抛光速率的图形抛光速率为无图形抛光速率5倍以上。2.如权利要求1所述的绝缘膜抛光液，其特征在于，所述阴离子型高分子选自含有羧基、磺酸基、磷酸根的化合物。3.如权利要求2所述的绝缘膜抛光液，其特征在于，所述含有羧基的高分子化合物为聚羧酸盐和/或聚氨基酸；所述含有磺酸基的高分子化合物为聚苯磺酸均聚物或其共聚物；所述含磷酸根的分子可以选自磷酸、以及磷酸盐中的一种或多种。4.如权利要求1所述的绝缘膜抛光液，其特征在于，所述阳离子型高分子为聚季铵盐高分子化合物和/或亚胺类高分子化合物。5.如权利要求1所述的绝缘膜抛光液，其特征在于，所述绝缘膜抑制剂为含氮化合物。6.如权利要求5所述的绝缘膜抛光液，其特征在于，所述绝缘膜抑制剂为聚季铵盐高分子和/或羟胺及其衍生物。7.如权利要求1所述的绝缘膜抛光液，其特征在于，所述阴离子型高分子与所述氧化铈的质量之比为0.01％
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100％。8....

【专利技术属性】
技术研发人员：徐鹏宇，王兴平，陈寅斌，刘凤如，贾长征，李守田，
申请(专利权)人：安集微电子科技上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：