一种化学机械抛光液制造技术

本发明专利技术提供一种化学机械抛光液，包括：经阴离子型聚合物处理的纳米α

【技术实现步骤摘要】
一种化学机械抛光液


[0001]本专利技术涉及化学机械抛光领域，尤其涉及一种化学机械抛光液。

技术介绍

[0002]现代芯片技术的快速发展极大促进了集成电路元件的微型化进程，为确保纳米尺度下电路元件的正常分布和有效运行，晶片表面的平坦化程度也必须达到相应的量级。目前实现这一目标最有效的方法就是化学机械抛光(CMP)技术。
[0003]化学机械抛光包含化学、机械两种作用。通常，晶片被固定于研磨头上，并将其正面与CMP设备中的抛光垫接触。在一定压力下，研磨头在抛光垫上线性移动或是沿着与研磨台一样的运动方向旋转。与此同时，在晶片和抛光垫之间以一定流量注入抛光组合物(“浆料”)，浆料因离心作用平铺在抛光垫上。于是，在化学和机械的双重作用下，晶片表面被抛光并实现全局平坦化。在这一过程中，浆料中的磨料必须均匀稳定地存在于体系中才能确保抛光的稳定性，否则容易导致晶片表面产生划痕等问题。
[0004]经阴离子修饰后的α
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氧化铝磨料颗粒可以在酸性抛光液体系中保持稳定(专利CN 103946958B、CN 101978019B)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化学机械抛光液，其特征在于，包括：经阴离子型聚合物处理的纳米α
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氧化铝颗粒，有机羧酸，季铵盐类硅促进剂，氧化剂，pH调节剂和水。2.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述阴离子型聚合物含有羧酸根、磺酸根或磷酸根。3.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述纳米α
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氧化铝颗粒的zeta电势在酸性pH条件下为负值。4.如权利要求3所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述纳米α
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氧化铝颗粒的zeta电势为
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30mV或以下。5.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述纳米α
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氧化铝颗粒的质量百分比含量为0.01wt％～3wt％。6.如权利要求5所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述纳米α
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氧化铝颗粒的质量百分比含量为：0.01wt％～1wt％。7.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述硅促进剂选自季铵盐类化合物。8.如权利要求7所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述硅促进剂为四烷基铵盐或季铵碱类化合物。9.如权利要求8所述的化学机械抛光液...

【专利技术属性】
技术研发人员：王嵩，孙沉敏，朱薇菡，孙金涛，顾钦源，董泽同，王晨，
申请(专利权)人：安集微电子科技上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：