一种硅片中抛液及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种硅片中抛液及其制备方法，以质量百分含量计，所述硅片中抛液由以下原料组成：去离子水17

【技术实现步骤摘要】
一种硅片中抛液及其制备方法


[0001]本专利技术涉及化学机械抛光
，具体涉及一种硅片中抛液及其制备方法。

技术介绍

[0002]硅片是集成电路(IC)的主要衬底，随着集成电路集成度的不断提高，特征尺寸的不断减小，对硅片的加工精度和表面质量的要求不断提高。目前，利用化学机械抛光(CMP)技术对硅片表面进行平坦化处理，已成为集成电路制造技术必要的工艺步骤之一。
[0003]为了实现硅片的抛光加工精度，达到集成电路硅片要求的技术指标，通常进行多次化学机械抛光，如粗抛光与精抛光，粗抛光为去除硅片切割和成形残留下的表面损伤层，加工成镜面的步骤；精抛光为进一步降低表面粗糙度、减少表面缺陷以及提高表面精度的步骤。介于粗抛光与精抛光之间还可设置中抛阶段以进一步保证硅片的抛光质量。除了常规的抛光加工参数，抛光液的成分含量对硅片的抛光效果影响也十分显著。
[0004]CN 101333417A公开了一种用于抛光含钌阻挡层的抛光液，所述抛光液包含：氧化剂和抛光微粒，所述抛光微粒具有按莫氏硬度计为5以上的硬度和其中主要成分不同于二氧化硅的组成。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片中抛液，其特征在于，以质量百分含量计，所述硅片中抛液由以下原料组成：去离子水17
‑
50wt％，促进剂2
‑
10wt％，硅溶胶35
‑
80wt％，杀菌剂1
‑
5wt％；所述原料的总质量百分含量为100％；所述硅溶胶的金属离子含量＜10ppm。2.根据权利要求1所述的硅片中抛液，其特征在于，所述促进剂与杀菌剂的总质量百分含量为5
‑
15wt％。3.根据权利要求1或2所述的硅片中抛液，其特征在于，所述硅溶胶的纯度≥99.5％。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的硅片中抛液，其特征在于，所述促进剂包括硝酸胍、盐酸胍或碳酸胍中的任意一种或至少两种的组合；优选地，所述杀菌剂包括2
‑
甲基
‑4‑
异噻唑啉
‑3‑
酮和/或1,2
‑
苯丙异噻唑啉
‑3‑
酮。5.一种如权利要求1
‑
4任一项所述的硅片中抛液的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：均匀混合促进剂与去离子水，得到促进剂溶液；所得促进剂溶液中加入硅溶胶进行第一混合，然后加入杀菌剂进行第二混合，所得混合液经过滤与包装，得到所述硅片中抛...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，惠宏业，万旭军，朱海青，
申请(专利权)人：宁波平恒电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：