一种二氧化铈抛光液及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种二氧化铈抛光液及其制备方法，所述二氧化铈抛光液的制备原料按质量百分含量计，包括：1‑29％的二氧化铈浆料，0.01‑1％的有机酸添加剂，0.01‑1％的pH值调节剂，0.01‑1％的分散剂，0.001‑0.1％的杀菌剂，余量为水。本发明专利技术提供的二氧化铈抛光液具有较高的二氧化硅抛光速率和二氧化硅/氮化硅选择比，并且研磨颗粒的粒径均匀，大颗粒较少，能够有效避免产生抛光缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及抛光液，具体涉及一种二氧化铈抛光液及其制备方法。

技术介绍

1、半导体产业是现代电子工业的核心，而半导体产业的基础是硅材料工业。虽然有各种各样新型的半导体材料不断出现，但90％以上的半导体器件和电路，尤其是超大规模集成电路(ulsi)都是制作在高纯优质的硅单晶抛光片和外延片上的。目前，超大规模集成电路制造技术已经发展到了0.12μm和300mm时代，特征线宽为0.1μm的技术也正在走向市场。随着特征线宽的进一步微小化，对硅片表面的平坦化程度提出了更高的要求，化学机械抛光(cmp)被公认为是ulsi阶段最好的材料全局平坦化方法。

2、例如，在集成电路浅沟槽隔离(sti)技术中通常需要采用化学机械抛光的方式在图案化的氮化硅晶片衬底上选择性地去除二氧化硅。在sti技术中，通常沟槽用电介质例如二氧化硅为过度填充，该电解质以氮化硅阻挡膜作为停止层进行抛光，抛光时以清除掉阻挡膜上的二氧化硅为终点，同时最大限度地保留氮化硅和沟槽内的二氧化硅。比如，cn109251677a中公开了一种化学机械抛光液，包含氧化铈研磨颗粒、苯甲酸类化合物及ph调节剂本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种二氧化铈抛光液，其特征在于，所述二氧化铈抛光液的制备原料按质量百分含量计，包括：1-29％的二氧化铈浆料，0.01-1％的有机酸添加剂，0.01-1％的pH值调节剂，0.01-1％的分散剂，0.001-0.1％的杀菌剂，余量为水。

2.根据权利要求1所述的二氧化铈抛光液，其特征在于，所述二氧化铈浆料的溶剂包括水；

3.根据权利要求1或2所述的二氧化铈抛光液，其特征在于，所述有机酸添加剂包括L-谷氨酸、醋酸、2-吡啶甲酸、马来酸或吡咯-2-羧酸中的任意一种或至少两种的组合。

4.根据权利要求1-3任一项所述的二氧化铈抛光液，其特征在于，所述pH值...

【技术特征摘要】

1.一种二氧化铈抛光液，其特征在于，所述二氧化铈抛光液的制备原料按质量百分含量计，包括：1-29％的二氧化铈浆料，0.01-1％的有机酸添加剂，0.01-1％的ph值调节剂，0.01-1％的分散剂，0.001-0.1％的杀菌剂，余量为水。

2.根据权利要求1所述的二氧化铈抛光液，其特征在于，所述二氧化铈浆料的溶剂包括水；

3.根据权利要求1或2所述的二氧化铈抛光液，其特征在于，所述有机酸添加剂包括l-谷氨酸、醋酸、2-吡啶甲酸、马来酸或吡咯-2-羧酸中的任意一种或至少两种的组合。

4.根据权利要求1-3任一项所述的二氧化铈抛光液，其特征在于，所述ph值调节剂包括硝酸、硫酸、氨水或四甲基氢氧化铵中的任意一种或...

【专利技术属性】
技术研发人员：惠宏业，姚力军，刘俊伟，王红瑞，朱海青，
申请(专利权)人：宁波平恒电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：