一种多晶硅抛光液及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种多晶硅抛光液及其制备方法，以质量百分含量计，所述多晶硅抛光液由以下原料组成：去离子水9.5

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅抛光液及其制备方法


[0001]本专利技术涉及化学机械抛光
，具体涉及一种多晶硅抛光液及其制备方法。

技术介绍

[0002]熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，晶核长成晶面取向不同的晶粒经结晶形成多晶硅。对多晶硅进行化学机械抛光，通常是将衬底直接与抛光垫接触，在衬底背面施加压力，在抛光过程中会将抛光液涂于垫片上，与正在抛光的薄膜发生化学反应实现抛光的作用。
[0003]为了实现硅片的抛光加工精度，达到集成电路硅片要求的技术指标，通常进行多次化学机械抛光，如粗抛光、中抛光以及精抛光，除了常规的抛光加工参数，抛光液的成分含量对硅片的抛光效果影响也非常显著。
[0004]CN 100526409A公开了一种新的浆料成分，该浆料成分包括一种或多种非离子聚合物表面活性剂，示例性的表面活性剂包括环氧乙烷(EO)和环氧丙烷(PO)嵌段共聚物的烷基或芳基醇，并以高达大约5wt％的量存在于浆料成分中。其它浆料添加剂可以包括粘度调节剂、pH调节剂、分散剂、螯合剂、以及适合用于调节氮化硅和氧化硅的相对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅抛光液，其特征在于，以质量百分含量计，所述多晶硅抛光液由以下原料组成：去离子水9.5
‑
30wt％，胍类化合物0.1
‑
5wt％，pH调节剂0.1
‑
5wt％，硅溶胶59.5
‑
80wt％，杀菌剂0.1
‑
1wt％；所述原料的总质量百分含量为100％；所述硅溶胶中单种金属离子含量为0.9
‑
1.1ppm。2.根据权利要求1所述的多晶硅抛光液，其特征在于，所述胍类化合物与pH调节剂的质量比为(0.9
‑
1.1):1。3.根据权利要求1或2所述的多晶硅抛光液，其特征在于，所述硅溶胶的纯度≥99.9％。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的多晶硅抛光液，其特征在于，所述胍类化合物包括盐酸胍、硝酸胍或碳酸胍中的任意一种或至少两种的组合；优选地，所述pH调节剂包括有机碱；优选地，所述有机碱包括1,3
‑
丙二胺和/或乙二胺；优选地，所述杀菌剂包括2
‑
甲基
‑4‑
异噻唑啉
‑3‑
酮和/或1,2
‑
苯丙异噻唑啉
‑3‑
酮。5.一种如权利要求1
‑
4任一项所述的多晶硅抛光液的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：均匀混合胍类化合物与去离子水，得到胍类化合物溶液；所得胍类化合物溶液中加入pH调节剂进行第一混合，然后加入硅溶胶进行第二混合，再加入杀菌剂进行第三混合，所得混合液经过滤与包装，得到所述多晶硅抛光液。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，惠宏业，万旭军，朱海青，
申请(专利权)人：宁波平恒电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：