本发明专利技术公开了橙花叔醇在墨兰根状茎生根培养中的应用。本发明专利技术将墨兰根状茎培养在生根培养基中进行生根培养，其中所述的生根培养基含有单萜化合物橙花叔醇。植物器官受到机械损伤或虫害等因素后做出响应，在体内经过一系列复杂调控，释放次生代谢物进行间接防御。墨兰根状茎在离体培养过程中，物理损伤在所难免，并激活一系列防卫反应的重要内源信号分子，影响了根状茎的生长发育。本发明专利技术将墨兰根状茎培养在含有橙花叔醇成分的生根培养基中，可以促进墨兰根状茎生根，从而克服墨兰根状茎根不分化或难分化的问题，对实现墨兰种苗组培工厂化生产具有重要的现实意义。生产具有重要的现实意义。
【技术实现步骤摘要】
橙花叔醇在墨兰根状茎生根培养中的应用
[0001]本专利技术涉及农业生物技术中植物组织培养的方法，具体地说，涉及橙花叔醇在墨兰根状茎生根培养中的应用。
技术介绍
[0002]国兰是广西特色优势花卉，历史悠久，文化底蕴深厚，具有重要的观赏、经济和文化价值。目前国兰繁殖主要是通过分株繁殖进行的，存在繁殖系数低、周期长、生产成本高等问题，无法满足市场需求。基于组织培养技术的种苗工厂化繁殖，具有繁殖系数高、速度快、效益高等优点。但是以根状茎为中间繁殖体的国兰是目前最难工厂化繁殖的兰花种类之一，迄今尚未能从根本上解决国兰种苗工厂化繁殖难的问题，严重制约了国兰产业化发展。
技术实现思路
[0003]本专利技术的为了克服墨兰组织培养中根状茎根难分化或不分化的问题，在生根培养基中添加橙花叔醇，以促进墨兰根状茎生根。
[0004]本专利技术是通过以下技术方案实现：橙花叔醇在墨兰根状茎生根培养中的应用，将墨兰根状茎培养在生根培养基中进行生根培养，所述的生根培养基含有橙花叔醇(CAS编号为7212
‑
44
‑
4)。
[0005]本专利技术的一个实施例中，生根培养基每升含2
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6微摩尔橙花叔醇、1.0
‑
2.0毫克NAA、0.1
‑
0.5毫克6
‑
BA、20
‑
30克蔗糖、5
‑
7克琼脂粉，余量为1/2MS培养基，pH值为5.4
‑
6.0。
[0006]所述的橙花叔醇应用方法是：所述生根培养基除橙花叔醇外的成分经高温蒸汽灭菌，待生根培养基冷却至50℃以下后于无菌操作台中添加经过滤灭菌的橙花叔醇。高温蒸汽灭菌条件为121℃灭菌20分钟。
[0007]本专利技术生根培养条件为：将墨兰根状茎接种在根状茎根分化培养基中后，将墨兰根状茎接种在生根培养基中后，首先在培养温度为25～22℃进行黑暗培养7
‑
14天，然后转至培养温度为25
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22℃，光照强度为2000
‑
3000lx，光照长度为12小时/天，培养30
‑
40天。
[0008]所述的墨兰根状茎是指墨兰品种
‘
企剑白墨墨兰
’
芽已分化的根状茎。
[0009]植物器官受到机械损伤或虫害等因素后做出响应，在体内经过一系列复杂调控，释放次生代谢物进行间接防御。萜类化合物如橙花叔醇是间接防御次生代谢物之一。墨兰根状茎在离体培养过程中，物理损伤在所难免，并激活一系列防卫反应的重要内源信号分子，导致内源激素的生物合成受阻，影响了根状茎的生长发育。本专利技术将墨兰根状茎培养在含有橙花叔醇成分的生根培养基中，可以促进墨兰根状茎生根，从而克服墨兰根状茎根不分化或难分化的问题，对实现墨兰种苗组培工厂化生产具有重要的现实意义。
具体实施方式
[0010]下面结合具体实施方式，对本专利技术的技术方案作进一步的详细说明，但不构成对
本专利技术的任何限制。
[0011]所述的MS为国际通用的培养基，其成分和配制方法可参考文献(谭文澄、戴策刚主编.观赏植物组织培养技术.北京：中国林业出版社，1991)；所述的1/2MS培养基是将MS基本培养基中的大量元素浓度减半，而其他成分浓度不变而形成的培养基。
[0012]实施例1
[0013]将芽已分化的墨兰品种
‘
企剑白墨墨兰
’
根状茎分别培养在生根培养基1
‑
3组别中，首先在培养温度为25℃进行黑暗培养7天，然后转至培养温度为25℃，光照强度为2000lx，光照长度为12小时/天的条件下培养30天后，在生根培养基1
‑
3组别中培养的
‘
企剑白墨墨兰
’
根状茎的生根率分别为31.5％、2.47％和23.9％。其中，生根培养基1的培养基成分为1/2MS+2μmol/L橙花叔醇+
[0014]0.1mg/L 6
‑
BA+1.0mg/L NAA+20g/L蔗糖+5g/L琼脂，pH值为5.4；生根培养基2的培养基成分为1/2MS+0.1mg/L 6
‑
BA+1.0mg/L NAA+20g/L蔗糖+5g/L琼脂，pH值为5.4；生根培养基3的培养基成分为1/2MS+1μmol/L橙花叔醇+0.1mg/L 6
‑
BA+1.0mg/L NAA+20g/L蔗糖+5g/L琼脂，pH值为5.4
[0015]实施例2
[0016]将芽已分化的墨兰品种
‘
企剑白墨墨兰
’
根状茎分别培养在生根培养基4
‑
5组别中，首先在培养温度为27℃进行黑暗培养10天，然后转至培养温度为25℃，光照强度为2500lx，光照长度为12小时/天的条件下培养35天后，在生根培养基4
‑
5组别中培养的
‘
企剑白墨墨兰
’
根状茎的生根率分别为36.9％和3.52％。其中，生根培养基4的培养基成分为1/2MS+4μmol/L橙花叔醇+0.3mg/L 6
‑
BA+1.5mg/L NAA+25g/L蔗糖+6g/L琼脂，pH值为5.2；生根培养基5的培养基成分为1/2MS+0.3mg/L 6
‑
BA+1.5mg/L NAA+25g/L蔗糖+6g/L琼脂，pH值为5.2。
[0017]实施例3
[0018]将芽已分化的墨兰品种
‘
企剑白墨墨兰
’
根状茎分别培养在生根培养基6
‑
2组别中，首先在培养温度为22℃进行黑暗培养14天，然后转至培养温度为22℃，光照强度为3000lx，光照长度为12小时/天的条件下培养40天后，在生根培养基6
‑
2组别中培养的
‘
企剑白墨墨兰
’
根状茎的生根率分别为42.2％、3.06％和25.5％。其中，生根培养基6的培养基成分为1/2MS+6μmol/L橙花叔醇+0.5mg/L 6
‑
BA+2.0mg/L NAA+25g/L蔗糖+7g/L琼脂，pH值为6.0；生根培养基7的培养基成分为1/2MS+0.5mg/L 6
‑
BA+2.0mg/L NAA+25g/L蔗糖+
[0019]7g/L琼脂，pH值为6.0；生根培养基2的培养基成分为1/2MS+2μmol/L橙花叔醇+0.5mg/L 6
‑
BA+2.0mg/L NAA+25g/L蔗糖+7g/L琼脂，pH值为6.0。
[0020]上述实施例为本专利技术较佳的实施方式，但本专利技术的实施方式并不受上述实施例的限制，其它的任何未背离本专利技术的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本专利技术的保护范围之内。
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.橙花叔醇在墨兰根状茎生根培养中的应用，将墨兰根状茎培养在生根培养基中进行生根培养，其特征在于，所述的生根培养基含有橙花叔醇。2.根据权利要求1所述的橙花叔醇在墨兰根状茎生根培养中的应用，其特征在于，所述的生根培养基每升含2
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6微摩尔橙花叔醇、1.0
‑
2.0毫克NAA、0.1
‑
0.5毫克6
‑
BA、20
‑
30克蔗糖、5
‑
7克琼脂粉，余量为1/2MS培养基，pH值为5.4
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6.0。3.根据权利要求1所述的橙花叔醇在墨兰根状茎生根培养中的应用，其特征在于，所述生根培养基除橙花叔醇外的成分经高温蒸汽灭菌，待培养至...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵仕花，杨业容，韦敏，潘洁明，方振名，
申请(专利权)人：玉林师范学院，
类型：发明
国别省市：
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