【技术实现步骤摘要】
负载开关装置及其恒流保护电路
[0001]本专利技术涉及电气控制
,特别涉及负载开关装置及其恒流保护电路。
技术介绍
[0002]在负载开关装置、电机控制等设备中使用MOSFET(Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应管)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)等功率器件,这些器件在实际工作中会产生高低电平的脉冲跳变,流过该功率器件的电流也会产生过冲。另外当遇到热插拔、等效负载阻值突然减小或者输出端短接至地的情况时,功率器件的输出电流也会突然增大。
[0003]以负载开关装置为例,为了避免因为电流过大而导致电路损坏,需要对负载开关装置的输出电流进行限制。一般而言,根据与输出电流相关的电流采样信号与参考电压信号通过比较模块得到的比较结果,反馈控制调整负载开关管,将输出电流稳定在安全范围内,从而完成恒流保护功能。< ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种负载开关装置的恒流保护电路,所述负载开关装置至少包括负载开关管,所述负载开关管具有耦接于输入电压和输出电压之间的电流传导路径,其中,所述恒流保护电路包括:电流采样模块,配置为采样所述负载开关管的输出电流,并生成电流采样信号;参考电压生成模块,配置为生成表征恒流保护阈值的参考电压信号;以及比较模块,配置为将所述电流采样信号与所述参考电压信号进行比较,并根据比较结果反馈控制所述负载开关管的控制端电压,其中,所述比较模块还配置为根据所述比较结果反馈调整所述参考电压信号,以获得与所述负载开关管的阻抗无关的恒流保护阈值。2.根据权利要求1所述的恒流保护电路,其中,所述参考电压生成单元包括:耦接于所述输入电压和地之间的第一电阻、第一晶体管以及参考电流源,所述第一电阻和所述第一晶体管的中间节点用于输出所述参考电压信号;以及耦接于所述输入电压和所述参考电流源的第一端之间的第二晶体管,其中,所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述负载开关管的控制端均与所述比较模块的输出端耦接。3.根据权利要求2所述的恒流保护电路,其中,所述电流采样模块包...
【专利技术属性】
技术研发人员:肖飞,于翔,
申请(专利权)人:圣邦微电子北京股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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