一种抑制SiC功率器件驱动电压超调电路制造技术

本实用新型专利技术涉及多功率器件的电压超调技术，公开了一种抑制SiC功率器件驱动电压超调电路，包括电流采样单元、多组电流调理单元和电流比较单元；其还包括多组电阻调节单元和被控单元；电流调理单元与电阻调节单元一一对应；电流采样单元用于采集电流，将采集的电流传送至电流调理单元，电流调理单元对采集的电流进行调节并输出合适的电压；电流比较单元比较基准电压与调节后的电压；电阻调节单元根据接收的电压调节被控单元的驱动电阻。本实用新型专利技术根据电流大小动态调节驱动电阻，可以抑制驱动电压过充，还可以提升轻载效率；由于在全负载范围变驱动电阻从而改变di/dt，这样可以改善EMC性能。善EMC性能。善EMC性能。

【技术实现步骤摘要】
一种抑制SiC功率器件驱动电压超调电路


[0001]本技术涉及多功率器件的电压超调技术，尤其涉及了一种抑制SiC功率器件驱动电压超调电路。

技术介绍

[0002]随着国家对能源可持续发展的重视，“双碳”战略倡导绿色、环保、低碳的生活方式，宽禁带半导体应用在了越来越多的领域，新能源汽车，手机快充，服务器电源等，宽禁带半导体相比于硅基器件虽然有耐高压，大电流，高开关频率等优势，但是宽禁带半导体其应用也急剧挑战，如现有技术CN202210032997.3；SiC器件其门极电压耐受能力比硅基器件要低很多，所以要抑制门极驱动电压的超调。

技术实现思路

[0003]本技术针对现有技术很好地抑制门极驱动电压的超调的问题，提供了一种抑制SiC功率器件驱动电压超调电路。
[0004]为了解决上述技术问题，本技术通过下述技术方案得以解决：
[0005]一种抑制SiC功率器件驱动电压超调电路，包括电流采样单元、多组电流调理单元和电流比较单元；其还包括多组电阻调节单元和被控单元；电流调理单元与电阻调节单元一一对应；电流采样单元用于采集电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抑制SiC功率器件驱动电压超调电路，包括电流采样单元、多组电流调理单元和电流比较单元；其特征在于，还包括多组电阻调节单元和被控单元；电流调理单元与电阻调节单元一一对应；电流采样单元用于采集电流，将采集的电流传送至电流调理单元，电流调理单元对采集的电流进行调节并输出合适的电压；电流比较单元比较基准电压与调节后的电压；电阻调节单元根据接收的电压调节被控单元的驱动电阻。2.根据权利要求1所述的一种抑制SiC功率器件驱动电压超调电路，其特征在于，电流比较单元包括比较器；比较器的输入端正极输入基准电压，比较器的输入端负极连接有输入限...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐洋，王华，汪剑华，雷洋，
申请(专利权)人：派恩杰半导体杭州有限公司，
类型：新型
国别省市：