一种PMOS过流保护控制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种PMOS过流保护控制电路，MCU通过电阻R6与三极管Q4的基极连接，三极管Q4的集电极通过电阻R5与PMOS管Q3栅极连接，PMOS管Q3的源极通过二极管D1接供电电源ACC，PMOS管Q3的漏极通过电阻R1接电源VCC，电源VCC通过电阻R3与PMOS管Q3的栅极连接，电阻R3上并联接有二极管D2，PMOS管Q3的栅极与三极管Q2的发射极连接，三极管Q2的集电极通过电阻R2与PMOS管Q3的漏极连接，三极管Q2的基极与发射极之间接有电阻R4，三极管Q2的基极与三极管Q1的集电极连接，三极管Q1的基极与三极管Q2的集电极连接，三极管Q1的发射极与基极之间接有电容C1。本实用新型专利技术的优点在于：具有PMOS过流保护功能、满足电源输出端过流时能够及时关断MOS管让电源输出及时关断。MOS管让电源输出及时关断。MOS管让电源输出及时关断。

【技术实现步骤摘要】
一种PMOS过流保护控制电路


[0001]本技术涉及电路
，具体是指一种PMOS过流保护控制电路。

技术介绍

[0002]随着两轮车智能化的发展，机械钥匙渐渐被电子器件(MOS管)替代，现在不少车子都采用免钥匙启动方式，减少用户每天带钥匙的烦恼，但车子经过用户长期使用后，不少电子配件会产生老化，导致负载过流，给电子启动部件带来损坏的伤害，电源启动部件的损坏，直接导致用户无法正常用车。

技术实现思路

[0003]本技术要解决的技术问题是，针对上述问题，提供一种具有PMOS过流保护功能、满足电源输出端过流时能够及时关断MOS管让电源输出及时关断的PMOS过流保护控制电路。
[0004]为解决上述技术问题，本技术提供的技术方案为：一种PMOS过流保护控制电路，包括MCU和PMOS管Q3，所述MCU通过电阻R6与三极管Q4的基极连接，所述三极管Q4的基极与发射极之间接有电阻R8，所述三极管Q4的集电极通过电阻R5与PMOS管Q3栅极连接，所述PMOS管Q3的源极通过二极管D1接供电电源ACC，所述PMOS管Q3的漏极通过电阻R本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PMOS过流保护控制电路，包括MCU和PMOS管Q3，其特征在于：所述MCU通过电阻R6与三极管Q4的基极连接，所述三极管Q4的基极与发射极之间接有电阻R8，所述三极管Q4的集电极通过电阻R5与PMOS管Q3栅极连接，所述PMOS管Q3的源极通过二极管D1接供电电源ACC，所述PMOS管Q3的漏极通过电阻R1接电源VCC，所述电源VCC通过电阻R3与PMOS管Q3的栅极连接，所述电阻R3上并联接有二极管D2，所述PMOS管Q3的栅极与三极管Q2的发射极连接，所述三极管Q2的集电极通过电阻R2与PMOS管Q3的漏极连接，...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁浩，袁尧，于文尧，纪绪龙，张大霖，
申请(专利权)人：淮安中科晶上智能网联研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：