一种切槽单色晶体高精度内侧面加工方法技术

本发明专利技术公开了一种切槽单色晶体高精度内侧面加工方法，其步骤包括：1)将切槽单色晶体放入料槽中，采用磁控研磨设备的磨头对所述切槽单色晶体的内侧面进行粗研磨；磁控研磨设备包括磁控驱动单元和所述磨头；2)采用磨头对步骤1)处理后的内侧面精研磨；3)对步骤2)处理后的内侧面进行湿法化学蚀，去除破坏层；4)采用磨头对步骤3)处理后的内侧面进行精抛；5)将步骤4)处理后的内侧面清洗后，在内侧面上生成软质水合层；6)将步骤5)处理后的切槽单色晶体清洗后，采用磨头对所述内侧面进行去应力抛光。本方法可以更好的将抛光时界面处产生的热量传递走，获得更优的表面组织，受切槽型晶体一、二晶重叠部分的限制很小。二晶重叠部分的限制很小。二晶重叠部分的限制很小。

【技术实现步骤摘要】
SPIE Optical Engineering+Applications
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San Diego,California,United States(Sunday 9August 2015)]Advances in Laboratory
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based X
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Ray Sources,Optics,and Applications IV
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The best of both worlds:automated CMP polishing of channel
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cut monochromators[J].2015；Kasman,Elina,Montgomery,et al.Strain
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free polished channel
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cut crystal monochromators:a new approach and results[C],2017。
[0009]大阪大学及Spring
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8的Takashi Hirano等人在2016年利用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种切槽单色晶体高精度内侧面加工方法，其步骤包括：1)将切槽单色晶体放入料槽中，采用磁控研磨设备的磨头对所述切槽单色晶体的内侧面进行粗研磨；其中，所述磁控研磨设备包括磁控驱动单元和所述磨头，所述磁控驱动单元用于驱动所述磨头，所述磁控驱动单元位于料槽外部，所述磨头位于所述料槽内且所述磨头的覆盖层与所述内侧面接触；所述料槽内填充有研磨液；2)采用所述磨头对步骤1)处理后的所述内侧面精研磨；3)对步骤2)处理后的所述内侧面进行湿法化学蚀，去除破坏层；4)采用所述磨头对步骤3)处理后的所述内侧面进行精抛；5)将步骤4)处理后的所述内侧面清洗后，在所述内侧面上生成软质水合层；6)将步骤5)处理后的切槽单色晶体清洗后，采用所述磨头对所述内侧面进行去应力抛光。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，粗研磨阶段的所述覆盖层硬度>精研磨阶段的所述覆盖层硬度>精抛阶段的所述覆盖层硬度>去应力抛光阶段的所述覆盖层硬度；粗研磨阶段的研磨液内磨粒粒径>精研磨阶段的研磨液内磨粒粒径>精抛阶段的研磨液内磨粒粒径；去应力抛光阶段的研磨液内不添加磨粒。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，粗研磨阶段所述磨头上的覆盖层的材料与切槽单色晶体材料相同；精研磨阶段、精抛阶段的所述覆盖层材料均为聚氨酯材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪振，刁千顺，李明，刘鹏，姜永诚，陶冶，盛伟繁，
申请(专利权)人：中国科学院高能物理研究所，
类型：发明
国别省市：