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本发明公开了一种切槽单色晶体高精度内侧面加工方法，其步骤包括：1)将切槽单色晶体放入料槽中，采用磁控研磨设备的磨头对所述切槽单色晶体的内侧面进行粗研磨；磁控研磨设备包括磁控驱动单元和所述磨头；2)采用磨头对步骤1)处理后的内侧面精研磨；3)...
该专利属于中国科学院高能物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院高能物理研究所授权不得商用。

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