一种定向离子束刻蚀方法技术

本发明专利技术提供一种定向离子束刻蚀方法，通过具有离子源、承载台及位于所述离子源与所述承载台之间且具有的贯通槽的离子射线隔离罩的定向离子束刻蚀设备，可使得所述离子源提供的所述离子射线，通过所述贯通槽作用于待刻蚀的晶圆的表面，以对所述晶圆进行刻蚀，从而本发明专利技术无需使用光刻胶，即可以实现对所述晶圆的定向刻蚀，可满足制程工艺的开发，且可节省生产制程步骤和人力及物力的成本。制程步骤和人力及物力的成本。制程步骤和人力及物力的成本。

【技术实现步骤摘要】
一种定向离子束刻蚀方法


[0001]本专利技术属于半导体制造领域，涉及一种定向离子束刻蚀方法。

技术介绍

[0002]刻蚀(etching)是半导体制造工艺、微电子制造工艺以及微纳米级制造工艺中的一种相当重要的步骤，是与光刻相联系的图形化(pattern)处理的一种主要工艺。
[0003]刻蚀最简单最常用分类是：干法刻蚀(dry etching)和湿法刻蚀(wet etching)。其中，湿法刻蚀的优点是：选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低，缺点是：钻刻严重、对图形的控制性较差、不能用于小的特征尺寸、会产生大量的化学废液；干法刻蚀的优点是：各向异性好、选择比高、可控性，灵活性，重复性好、细线条操作安全、易实现自动化、无化学废液、处理过程未引入污染、洁净度高，缺点是：成本高、设备复杂。
[0004]参附图1，显示为现有技术中，在半导体制造中，离子轰击蚀刻机在刻蚀晶圆时的结构示意图，其中，由离子源10解离的气体的离子射线20对位于承载台30上的晶圆40的表面进行轰击，以达到刻蚀晶圆30的效果，但因离子源10是固定的，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种定向离子束刻蚀方法，其特征在于，所述定向离子束刻蚀方法包括以下步骤：提供定向离子束刻蚀设备，所述定向离子束刻蚀设备包括离子源、承载台及位于所述离子源与所述承载台之间的离子射线隔离罩，且所述离子射线隔离罩上设置有贯通槽；提供待刻蚀的晶圆，将所述晶圆置于所述承载台上；通过所述离子源提供离子射线；通过贯穿所述贯通槽的所述离子射线对所述晶圆进行刻蚀。2.根据权利要求1所述的定向离子束刻蚀方法，其特征在于：所述晶圆包括MEMS晶圆。3.根据权利要求1所述的定向离子束刻蚀方法，其特征在于：所述离子射线隔离罩为表面具有三氧化二钇涂层的离子射线隔离罩。4.根据权利要求1所述的定向离子束刻蚀方法，其特征在于：所述离子射线隔离罩包括平面型离子射线...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹兴龙，
申请(专利权)人：上海新微技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：