VDMOS器件及VDMOS器件的制作方法技术

本申请涉及一种VDMOS器件，包括衬底层，设有第一导电柱；设置在衬底层上的外延层，衬底层的掺杂浓度大于外延层的掺杂浓度；设置在外延层上的栅极；设置在外延层的源极；外延层在靠近衬底层的一侧形成有掺杂区和绝缘区，绝缘区与第一导电柱位置相对应，掺杂区的掺杂类型与外延层的掺杂类型相同，掺杂区的掺杂浓度大于外延层的掺杂浓度。本申请通过在外延层中设置较高掺杂浓度的掺杂区，可以降低VDMOS器件正向导通时的外延电阻，同时还在衬底层和外延层之间形成MIS结构，使VDMOS器件维持较高的反向击穿电压，能有效提高VDMOS器件的工作性能。能有效提高VDMOS器件的工作性能。能有效提高VDMOS器件的工作性能。

【技术实现步骤摘要】
VDMOS器件及VDMOS器件的制作方法


[0001]本申请涉及半导体功率器件
，具体涉及一种VDMOS器件及VDMOS器件的制作方法。

技术介绍

[0002]VDMOS器件最重要的两个参数是导通电阻和击穿电压，对于给定设计结构的VDMOS器件，其外延层决定了器件的击穿电压以及大部分的导通电阻。图1是现有技术中VDMOS器件的结构示意图。如图1中(a)所示，以N型VDMOS器件为例，由上到下依次为栅极11、栅氧化层12、N型源极13、P阱区14、N型外延层15、N型衬底层16和漏极金属层17，N型衬底层16和漏极金属层17可共同作为VDMOS器件的漏极使用。VDMOS器件在正向导通条件下，N型源极13和漏极之间的导通电阻主要包括沟道电阻、积累层电阻、JFET电阻、外延电阻以及衬底电阻。VDMOS器件在承受反向电压时，其纵向的电场分布如图1中(b)所示，横轴表示VDMOS器件内部的电场大小，纵轴为VDMOS器件的纵向距离，通过电场E在纵向距离y的积分可计算出VDMOS器件承受的反向电压大小，即电场E的函数和y轴组成的面积大小为承受的反向电压本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种VDMOS器件，其特征在于，包括：衬底层，设有第一导电柱；设置在所述衬底层上的外延层，所述衬底层的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度；设置在所述外延层上的栅极；设置在所述外延层的源极；所述外延层在靠近所述衬底层的一侧形成有掺杂区和绝缘区，所述绝缘区与所述第一导电柱位置相对应，所述掺杂区的掺杂类型与所述外延层的掺杂类型相同，所述掺杂区的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度。2.根据权利要求1所述的VDMOS器件，其特征在于，所述掺杂区包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述绝缘区位于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间。3.根据权利要求2所述的VDMOS器件，其特征在于，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区对称设置于所述绝缘区的两侧。4.根据权利要求1所述的VDMOS器件，其特征在于，所述第一导电柱的材质为金属。5.根据权利要求1所述的VDMOS器件，其特征在于，所述衬底层设有第二导电柱，所述第二导电柱与所述掺杂区位置相对应。6.根据权利要求5所述的VDMOS器件，其特征在于，所述第二导电柱的材质与所述掺杂区的材质一致，或者，所述第二导电柱的材质为金属。7.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯雪，汪照贤，陈颖，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：