一种逆导型IGBT及其制造方法技术

本发明专利技术属于功率半导体技术领域，具体的说是涉及一种逆导型IGBT及其制造方法。本发明专利技术中的一种RC

【技术实现步骤摘要】
一种逆导型IGBT及其制造方法


[0001]本专利技术属于功率半导体
，具体的说是涉及一种逆导型IGBT及其制造方法。

技术介绍

[0002]绝缘栅双极晶体管(IGBT)是在80年代发展起来的，是一种兼具功率MOS和双极结型晶体管优点的半导体器件，具有高输入阻抗和低导通压降，通常应用在中频和中功率的场景中。但由于IGBT不具备反向导通能力，当应用在感性负载场合时，通常会将一个快回复二极管(Fast Recovery Diode，简称FRD)与其并联在一起使用，为其提供续流保护。
[0003]最初是将IGBT和FWD两个独立的器件通过引线焊接到一起做成模块来使用，但这样会带来寄生电感，并且体积较大，限制了其的使用。因此人们将IGBT和FRD集成在同一芯片上发展出了逆导绝缘栅双极晶体管(Reverse Conducting
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IGBT，简称RC
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IGBT)，通过在背面引入了集电极短路结构，使其获得了反向导通能力。
[0004]相比于传统的IGBT而言，RC
‑<br/>IGBT可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种逆导型IGBT，其元胞包括集电极结构、位于集电极结构上表面的漂移区结构、位于漂移区上表面的栅极结构和发射极结构；其特征在于，所述漂移区结构包括N
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漂移区(6)、FS层(7)和N
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层(8)，所述N
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漂移区(6)位于FS层(7)上层，N
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层(8)位于FS层(7)下层；所述栅极结构包括栅氧化层(3)和栅电极(1)，所述栅氧化层(3)位于N
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漂移区(6)上表面一端；所述发射极结构包括发射极金属(2)、N型阱区(4)、P
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body区(5)，发射极金属(2)位于N
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漂移区(6)上表面另一端，所述P
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body区(5)位于N
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漂移区(6)上层一侧，N阱区(4)位于P
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body区(5)上层，并且N阱区(4)、P
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body区(5)上表面的两端均分别与栅氧化层(3)和发射极金属(2)的底部接触；所述集电极结构包括集电极金属(11)、N型集电极区(10)和P型集电极区(9)，所述P型集电极区(9)和N型集电极区(10)的上表面与N
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层(8)的底部接触，所述N型集电极区(10)的侧面与P型集电极区(9)接触，N型集电极区(10)的下表面和P型集电极区(9)的下表面与集电极金属(11)上表面接触。2.根据权利要求1所述的一种逆导型IGBT，其特征在于，所述栅极结构为槽栅结构，即栅氧化层(3)嵌入在N
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漂移区(6)上层的凹槽中，与平面栅结构不同的是，栅氧化层(3)的侧面与N阱区(4)和P
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body区...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈万军，汪淳朋，肖紫嫣，刘超，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：