二极管器件及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种二极管器件及其制作方法，其中，所述二极管器件包括：阴极金属层；N+衬底，所述N+衬底位于所述阴极金属层之上；N

【技术实现步骤摘要】
二极管器件及其制作方法


[0001]本专利技术涉及二极管芯片
，具体涉及一种二极管器件和一种二极管器件的制作方法。

技术介绍

[0002]碳化硅材料相比于硅等其他半导体材料，其禁带宽度更宽，临界击穿电场更高，饱和漂移速度和热导率更大，这些优越的材料的特性，使得碳化硅器件在高频、耐高温和抗辐射等领域具有极其广阔的应用前景。目前为止，由于充电桩和光伏等在生产生活中的应用，需要碳化硅肖特基二极管具有足够高的正向浪涌能力，而目前碳化硅肖特基二极管面临的主要瓶颈之一就是如何提高器件的浪涌能力。

技术实现思路

[0003]本专利技术为解决上述技术问题，提供了一种二极管器件及其制作方法，能够增强二极管器件的浪涌能力。
[0004]本专利技术采用的技术方案如下：
[0005]一种二极管器件，包括：阴极金属层；N+衬底，所述N+衬底位于所述阴极金属层之上；N
‑
漂移区，所述N
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漂移区外延形成于所述N+衬底之上；高阻抗元胞结构，所述高阻抗元胞结构为多个，多个所述高阻抗元胞结构相间隔地排布于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二极管器件，其特征在于，包括：阴极金属层；N+衬底，所述N+衬底位于所述阴极金属层之上；N
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漂移区，所述N
‑
漂移区外延形成于所述N+衬底之上；高阻抗元胞结构，所述高阻抗元胞结构为多个，多个所述高阻抗元胞结构相间隔地排布于所述N
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漂移区的上部，每个所述高阻抗元胞结构包括两个P+型离子注入区和位于两个所述P+型离子注入区之间的阻抗区；阳极金属层，所述阳极金属层位于所述N
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漂移区之上。2.根据权利要求1所述的二极管器件，其特征在于，所述阻抗区为N
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区，所述阻抗区的掺杂浓度小于所述N
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漂移区的掺杂浓度，所述阻抗区的深度与所述P+型离子注入区的深度相同。3.根据权利要求1所述的二极管器件，其特征在于，所述阻抗区包括上下两层P+型离子层，所述上下两层P+型离子层位于所述N
‑
漂移区内，所述上下两层P+型离子层之间有一定间隔，其中，上层的P+型离子层与两个所述P+型离子注入区中的第一个相连接、与两个所述P+型离子注入区中的第二个不相连接，下层的P+型离子层与两个所述P+型离子注入区中的第二个相连接、与两个所述P+型离子注入区中的第一个不相连接。4.根据权利要求1
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3所述二极管器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：张景超，戚丽娜，林茂，井亚会，俞义长，赵善麒，
申请(专利权)人：江苏宏微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：