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本申请涉及一种VDMOS器件，包括衬底层，设有第一导电柱；设置在衬底层上的外延层，衬底层的掺杂浓度大于外延层的掺杂浓度；设置在外延层上的栅极；设置在外延层的源极；外延层在靠近衬底层的一侧形成有掺杂区和绝缘区，绝缘区与第一导电柱位置相对应，掺...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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