【技术实现步骤摘要】
一种化合物半导体晶圆背面加工方法
[0001]本专利技术涉及化合物半导体制作领域，具体涉及一种化合物半导体晶圆背面加工方法。
技术介绍
[0002]化合物半导体制作工艺包括晶圆正面工艺和紧接其后的晶圆背面工艺。在晶圆正面工艺中，由于铜柱具有良好的散热、导电特性，亦具有具低电阻/电感特性、低热阻、较佳的抗电迁移能力，并且提供更细微的线距，因此铜柱工艺得到广泛应用。另外，为了减少金属间的寄生电容，空气桥结构的连接线也广泛应用在晶圆正面工艺中。因此，在晶圆正面工艺完成时有时会带有铜柱或空气桥等结构器件。
[0003]化合物半导体晶圆背面工艺目前都是使用蓝宝石等作为载具并使用液态蜡或键合胶等进行加温键合后再进行，晶圆背面工艺完成后将晶圆与蓝宝石载具分开完成解键合。作为现有技术，CN103050480A公开了一种硅片的背面图形化的工艺方法，CN115172146A公开了一种化合物半导体晶圆的制作方法。但是，现有技术在键合及解键合过程中，例如铜柱、空气桥等结构器件部分会因未覆盖保护层或器件下方无支撑而受到损伤。
专利技术...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种化合物半导体晶圆背面加工方法，其特征在于，包括：键合胶剂涂布步骤：在晶圆正面涂布第一层高熔点的键合胶剂，完全覆盖结构器件作为器件保护层，在器件保护层上涂布第二层熔点低于第一层的键合胶剂，第一层键合胶剂的熔点高于第二层键合胶剂的熔点10
°
C以上，第二层键合胶剂涂布的厚度大于5微米；键合步骤：通过加热使第二层键合胶剂达到熔点软化，通过加压使晶圆与蓝宝石载具贴合后降温，使晶圆与蓝宝石载具键合在一起；减薄步骤：通过砂轮研磨将晶圆衬底减薄；解键合步骤：通过加热使第二层键合胶剂达到熔点软化，将蓝宝石载具从减薄的晶圆上卸载，使用有机溶剂对晶圆正面残留的第一层键合胶剂和第二层键合胶剂进行清洗。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，第一层键合胶剂和第二层键合胶剂为液态蜡或键合胶，所述液态蜡为乙二醇丁醚醋酸酯混合物，所述键合胶为丙二醇甲醚醋酸酯混合物。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，第一层键合胶剂和第二层键合胶剂的熔点温度为100～200
°
C。4.如权利要求1
‑
3中任意一项所述的方法，其特征在于，所述结构器件为铜柱或空气桥结构。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐浩，杨云畅，
申请(专利权)人：北京无线电测量研究所，
类型：发明
国别省市：
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