工件的清洗处理方法及工件的清洗处理系统技术方案

在本发明专利技术的工件的清洗处理方法及系统中，上侧整流板的孔的直径比下侧整流板的孔的直径小。在本发明专利技术的工件的清洗处理方法中，根据下侧整流板的多个孔的面积的总和A(mm2)及上侧整流板的多个孔的面积的总和B(mm2)，确定清洗液的供给流量Q(L/min)，或者，根据供给流量Q(L/min)，确定面积的总和A(mm2)和/或面积的总和B(mm2)。本发明专利技术的工件的清洗处理系统还具备：计算部，根据面积的总和A(mm2)及面积的总和B(m2)，确定清洗液的供给流量Q(L/min)；及控制部，控制成以已确定的供给流量Q(L/min)供给清洗液。面积的总和A(mm2)、面积的总和B(mm2)以及已确定的供给流量Q(L/min)，或者供给流量Q(L/min)以及已确定的面积的总和A(mm2)和/或面积的总和B(mm2)满足规定关系式。)满足规定关系式。)满足规定关系式。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】工件的清洗处理方法及工件的清洗处理系统


[0001]本专利技术涉及一种工件的清洗处理方法及工件的清洗处理系统，特别涉及硅晶片等的半导体晶片的清洗，尤其涉及与单片式的浸洗相关的清洗处理方法及清洗处理系统。

技术介绍

[0002]作为在硅晶片的制造中的清洗的一方式，有单片式的浸洗。在此浸洗中，通过将设置于清洗槽内的晶片浸泡于清洗液(例如臭氧水)，对附着于晶片的有机物进行氧化去除(在臭氧水的情况下，进一步以氧化膜覆盖晶片的表面)。
[0003]一般来说，臭氧水等的清洗液从清洗槽的下部流入并充满清洗槽内后，在清洗槽的上部溢流，而向包围清洗槽的排液沟流入，再向清洗槽外流出。例如在单片式的清洗处理方法中，如上述所示，在清洗液所流动的清洗槽内，通过机械手臂所设置的晶片逐片被输送并逐片地被全面清洗。
[0004]在这种清洗处理方法中，为了提高在晶片的面内的清洗的均匀性，以各种方式对清洗槽内的清洗液的流动进行整流。例如，在专利文献1中公开有在清洗槽的底部，水平地配置在下方具备多个孔的一支管，从孔排出清洗液，并且在晶片与管之间设置具有多个孔的多片整本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种工件的清洗处理方法，其包含以下的工序：准备清洗槽的工序；在所述清洗槽内设置工件的工序；以及从设置在所述清洗槽的底部的清洗液供给口向所述清洗槽内供给清洗液来对所述工件进行清洗处理的工序；所述工件的清洗处理方法的特征在于：在设置所述工件的位置与所述底部之间，配置有2片整流板，所述2片整流板由上侧整流板与下侧整流板所构成，而所述下侧整流板位于比该上侧整流板更靠近所述清洗槽的所述底部侧；所述上侧整流板及所述下侧整流板分别具有多个孔；所述上侧整流板的所述孔的直径比所述下侧整流板的所述孔的直径小；还包含根据所述下侧整流板的所述多个孔的面积的总和A(mm2)及所述上侧整流板的所述多个孔的面积的总和B(mm2)来确定所述清洗液的供给流量Q(L/min)的工序，在供给所述清洗液并对所述工件进行清洗处理的工序中，以确定的所述供给流量Q(L/min)供给所述清洗液，或者还包含根据所述供给流量Q(L/min)来确定所述面积的总和A(mm2)和/或所述面积的总和B(mm2)的工序，在准备所述清洗槽的工序中，准备具备所述下侧整流板和/或所述上侧整流板的所述清洗槽，而所述下侧整流板包括具有已确定的所述面积的总和A(mm2)的所述多个孔，所述上侧整流板包括具有已确定的所述面积的总和B(mm2)的所述多个孔；所述面积的总和A(mm2)、所述面积的总和B(mm2)以及已确定的所述供给流量Q(L/min)，或者所述供给流量Q(L/min)以及已确定的所述面积的总和A(mm2)和/或所述面积的总和B(mm2)满足以下的关系式(a)，B/A≥5.6
×
10
‑2exp(0.46Q)且B/A≤
‑
6.9
×
10
‑2Q2+1.2Q+3.4。2.根据权利要求1所述的工件的清洗处理方法，其中，所述面积的总和A(mm2)、所述面积的总和B(mm2)及已确定的所述供给流量Q(L/min)，或者所述供给流量Q(L/min)及已确定的所述面积的总和A(mm2)和/或所述面积的总和B(mm2)还满足以下的关系式(b)，B/A≥3.2
×
10
‑2Q2+0.36Q
‑
0.47且B/A≤
‑
5.1
×
10
‑2Q2+1.1Q+0.62。3.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：野田魁人，若杉胜郎，兼子优起，岩崎史利，蛇川顺博，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：