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本发明公开了一种化合物半导体晶圆背面加工方法，包括：在晶圆正面涂布第一层高熔点的键合胶剂，完全覆盖结构器件作为器件保护层，在器件保护层上涂布第二层熔点低于第一层的键合胶剂，第一层键合胶剂的熔点高于第二层键合胶剂的熔点10
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该专利属于北京无线电测量研究所所有，仅供学习研究参考，未经过北京无线电测量研究所授权不得商用。

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