【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】单片式晶圆洗涤装置的配管的洗涤方法
[0001]本专利技术涉及单片式晶圆洗涤装置的配管的洗涤方法。
技术介绍
[0002]以往,使用硅晶圆作为半导体设备的基板。相对于通过切克劳斯基(Czochralski、CZ)法等培育的单晶硅锭实施晶圆加工处理,由此得到硅晶圆。上述加工处理时,研磨粉等的颗粒附着于硅晶圆的表面,所以在加工处理后相对于硅晶圆进行洗涤处理来除去颗粒(例如,参照专利文献1)。
[0003]硅晶圆等的半导体晶圆的洗涤装置中,存在将多张晶圆同时洗涤的分批式的洗涤装置及将晶圆一张一张地洗涤的单片式的洗涤装置。其中,由于必要的药液的量比较少,能够避免晶圆间的相互污染,由于大口径化而变得难以同时处理多张晶圆等,近年来,单片式的洗涤装置正在被使用。
[0004]图1表示单片式的晶圆洗涤装置的一例。图1中表示的晶圆洗涤装置100具备载置作为洗涤对象的晶圆W的能够旋转的台11、向载置于台11上的晶圆W的正反面给药液的药液供给喷嘴12、向晶圆W的正反面供给纯水的纯水供给喷嘴13。
[0005]药液供给喷嘴1 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种单片式晶圆洗涤装置的配管的洗涤方法,是洗涤单片式的晶圆洗涤装置的配管的方法,前述单片式的晶圆洗涤装置具备台、药液供给喷嘴、纯水供给喷嘴、药液供给线、纯水供给线、废液线,前述台供晶圆载置,能够旋转,前述药液供给喷嘴向在前述台上载置的晶圆从晶圆正面侧及/或反面侧供给药液,前述纯水供给喷嘴向在前述台上载置的晶圆从晶圆正面侧及/或反面侧供给纯水,前述药液供给线向前述药液供给喷嘴供给前述药液,前述纯水供给线向前述纯水供给喷嘴供给前述纯水,前述废液线将被供给的前述药液及前述纯水回收来排出,前述单片式晶圆洗涤装置的配管的洗涤方法的特征在于,包括向前述纯水供给线导入含有微纳米气泡的纯水来洗涤前述纯水供给线的配管的配管洗涤工序。2.如权利要求1所述的单片式晶圆洗涤装置的配管的洗涤方法,其特征在于,在前述纯水供给线处设置三通阀,两个出口的一方与前述纯水供给喷嘴连接,另一方与前述废液线连接,前述配管洗涤工序中,在已将前述三通阀的出口切换至前述废液线侧的状态下将含有前述微纳米气泡的纯水向前述纯水供给线导入。3.如权利要求1所述的单片式晶圆洗涤装置的配管的洗涤方法,其特征在于,前述配管洗涤工序中,使前述纯水供给喷嘴从前述晶圆后退,向与前述台相邻地设置的与前述废液线连接的处理杯供给含有前述微纳米气泡的纯水。4.如权利要求1所述的单片式晶圆洗涤装置的配管的洗涤方法,其特征在于,在晶圆反面侧的前述纯水供给喷嘴和前述纯水供给线之间设置三通阀,两个出口的一方与前述晶圆反面侧的纯水供给喷嘴连接,另一方与前述废液线连接,前述配管洗涤工序中,在已将前述三通阀的出口切换至前述废液线侧的状态下将含有前述微纳米气泡的纯水向前述纯水供给线导...
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