用于光掩模布局的光学邻近校正的方法技术

一种掩模布局光学邻近校正(OPC)方法，包括：确定要在衬底上形成的目标图案；基于目标图案对光掩模布局进行仿真；向仿真的光掩模布局施加偏置，从而将光掩模布局校正为第一建模布局；选择通过使用分割掩模的布局进行建模而获得的控制参数中的一个控制参数，从而将第一建模布局变形为第二建模布局；以及基于第二建模布局，检查是否存在掩模规则检查(MRC)违规。检查是否存在掩模规则检查(MRC)违规。检查是否存在掩模规则检查(MRC)违规。

【技术实现步骤摘要】
用于光掩模布局的光学邻近校正的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年12月23日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10
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2021
‑
0185937的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。


[0003]本公开的示例实施例涉及一种用于光掩模布局的光学邻近校正(OPC)的方法。

技术介绍

[0004]在半导体工艺中，为了在半导体衬底(例如，晶片等)上形成图案，可以使用掩模来执行光刻工艺。掩模可以指图案转移制品，在该图案转移制品中，由不透明材料制成的图案结构形成在透明基材上。在掩模制造工艺中，可以首先设计所需电路，然后可以设计该电路的布局，然后可以将通过光学邻近校正(OPC)获得的最终设计数据作为掩模流片(MTO)设计数据进行传输。随后，可以通过基于MTO设计数据执行掩模数据准备(MDP)、执行前端(FEOL)工艺(例如，曝光工艺等)和后端(BEOL)工艺(例如，缺陷检查等)来制造掩模。

技术实现思路

[0005]本公开的示例实施例提供了一种光学邻近校正(OPC)方法，该方法考虑光掩模的实际布局，基于通过OPC获得的掩模数据来检查是否存在掩模规则检查(MRC)违规。
[0006]根据本公开的示例性实施例的掩模布局光学邻近校正(OPC)方法包括：确定要在衬底上形成的目标图案；基于目标图案对光掩模布局进行仿真；向仿真的光掩模布局施加偏置，从而将光掩模布局校正为第一建模布局；选择通过使用分割掩模的布局进行建模而获得的控制参数中的一个控制参数，从而将第一建模布局变形为第二建模布局；以及基于第二建模布局，检查是否存在掩模规则检查(MRC)违规。
[0007]根据本公开的示例性实施例的掩模布局光学邻近校正(OPC)方法包括：确定要在衬底上形成的目标图案；基于目标图案对光掩模布局进行仿真；向仿真的光掩模布局施加偏置，从而将光掩模布局校正为第一建模布局；在校正为第一建模布局之后，基于仿真的轮廓图案，从光掩模布局计算边缘放置误差(EPE)；确定EPE是否不大于预定容差；在确定EPE是否不大于预定容差之后，选择通过使用分割掩模的布局进行建模而获得的控制参数中的至少一个控制参数，从而将第一建模布局变形为第二建模布局；以及基于第二建模布局来检查是否存在掩模规则检查(MRC)违规。
[0008]根据本公开的示例性实施例的掩模布局光学邻近校正(OPC)方法包括：实际制造分割掩模；测量分割掩模中的掩模图案；提取分割掩模的布局轮廓；基于布局轮廓对分割掩模进行建模；使用建模后的掩模中的正确制造的部分和未正确制造的部分两者来执行校准；以及推导出通过校准获得的值和通过基于布局轮廓进行建模而获得的值之间的关系，从而从推导出的关系获得控制参数；确定要在衬底上形成的目标图案；基于目标图案对光掩模布局进行仿真；向仿真的光掩模布局施加偏置，从而将光掩模布局校正为第一建模布
局；选择控制参数中的至少一个控制参数，从而将第一建模布局变形为第二建模布局；以及基于第二建模布局来检查是否存在掩模规则检查(MRC)违规。
附图说明
[0009]图1是示意性地示出了根据本公开的一些示例实施例的光学邻近校正(OPC)方法的过程的算法流程图。
[0010]图2至图5是说明图1中的操作的图。
[0011]图6是说明图1的MRC解决方案的示意性流程图。
[0012]图7是说明图6的光掩模建模的示意性流程图。
[0013]图8是说明在光掩模建模中将第一建模布局校正为第二建模布局的图。
[0014]图9是示意性地示出了根据本公开的一些示例实施例的OPC方法的过程的算法流程图。
具体实施方式
[0015]图1是示意性地示出了根据本公开的一些示例实施例的光学邻近校正(OPC)方法的过程的算法流程图。图2至图5是说明图1中的操作的图。
[0016]随着图案精细度的增加，例如由于相邻图案之间的影响，可能在曝光过程中产生光学邻近效应(OPE)。为了解决这样的问题，掩模布局OPC方法可以校正掩模图案的布局，从而抑制OPE的产生和/或由此产生的图案中的错误。
[0017]参照图1，OPC方法可以包括目标确定S120、仿真S130、校正S140、掩模规则检查(MRC)解决方案S150、边缘放置误差(EPE)计算S160和重新执行确定S17()。在一些实施例中，可以在目标确定S12()之前执行分割掩模制造和建模S110。
[0018]参照图1和图2，分割掩模制造和建模S110对应于以下操作：制造包括图案的分割掩模，然后对分割掩模的布局进行建模。
[0019]例如，可以制造包括多个图案(例如，211a、211b和211c)的分割掩模SM1(图2中的(A))。分割掩模SM1可以用于检查掩模的工艺限制。因此，在一些示例实施例中，没有将掩模邻近校正(MPC)应用于分割掩模SM1的制造。在一些示例实施例中，分割掩模SM1的制造可以包括分割掩模SM1的物理(例如，实际)制造。
[0020]此后，可以测量制造的分割掩模SM1中的多个掩模图案(例如，211a、211b和211)。例如，可以使用实际图案211a、211b和211c来测量物理尺寸(例如，水平长度/竖直长度、宽度、图案间间距等)。
[0021]随后，可以提取分割掩模SM1中的实际图案211a、221b和221c的轮廓C211a、C211b和C211c(图2中的(B))。提取的轮廓C211a、C211b和C211c可以是例如仿真结果。可以基于轮廓C211a、C211b和C211c来对分割掩模SM1的布局进行建模。
[0022]此后，基于建模的结果，可以使用掩模中的正确制造的部分和未正确制造的部分两者来执行校准。可以基于校准来创建用于图案仿真模型值(例如，通过基于轮廓C211a、C211b和C211c进行建模而获得的值)的控制参数f
n
(n是自然数)。在一些示例实施例中，控制参数f
n
可以是多个参数。
[0023]例如，每个控制参数f
n
可以是分割掩模SM1中的实际图案211a、211b和211c的形状
与建模图案(例如，轮廓C211a、C211b和C211c)的形状之间的关系的表达式。例如，在表示建模图案(轮廓C211a、C211b和C211c)的形状的表达式是α的情况下，可以通过选择性地应用控制参数f
n
中的适当的一个参数f
n
(例如，f
i
(这里，1≤i≤n和/或1＜i＜n))来估计表示实际图案的表达式α
’
。
[0024]在一些示例实施例中，可以基于概率函数(例如，密度核、高斯核等)，从控制参数f
n
中确定分割掩模SM1中的实际图案211a、211b和211c的形状与建模图案(例如，轮廓C211a、C211b和C211c)的形状之间的关系的表达式。
[002本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩模布局光学邻近校正OPC方法，包括：确定要在衬底上形成的目标图案；基于所述目标图案对光掩模布局进行仿真；向仿真的光掩模布局施加偏置，使得将所述光掩模布局校正为第一建模布局；选择通过使用分割掩模的布局进行建模而获得的至少一个控制参数；基于所选择的至少一个控制参数，将所述第一建模布局变形为第二建模布局；以及基于所述第二建模布局，检查是否存在掩模规则检查MRC违规。2.根据权利要求1所述的掩模布局OPC方法，还包括：制造所述分割掩模。3.根据权利要求2所述的掩模布局OPC方法，还包括：测量所述分割掩模中的至少一个掩模图案；以及提取所述分割掩模的至少一个布局轮廓。4.根据权利要求3所述的掩模布局OPC方法，还包括：基于所提取的至少一个布局轮廓，对所述分割掩模的布局进行建模；以及使用建模后的所述分割掩模的布局中的正确制造的部分和未正确制造的部分两者，对获得所述至少一个控制参数所用的所述建模进行校准。5.根据权利要求4所述的掩模布局OPC方法，其中，所述至少一个控制参数包括通过所述校准获得的值或通过基于所述布局轮廓进行建模而获得的值中的至少一个值。6.根据权利要求5所述的掩模布局OPC方法，其中，在确定所述目标图案之前执行制造所述分割掩模。7.根据权利要求5所述的掩模布局OPC方法，其中，所述至少一个控制参数基于密度核或高斯核中的至少一种。8.根据权利要求2所述的掩模布局OPC方法，还包括：将所述仿真、所述校正和所述MRC违规检查的重复次数与参考次数进行比较，以确定是否应该重复所述仿真、所述校正和所述MRC违规检查。9.根据权利要求8所述的掩模布局OPC方法，其中，当重复所述仿真、所述校正和所述MRC违规检查时，不重复制造所述分割掩模。10.根据权利要求1所述的掩模布局OPC方法，还包括：在将所述第一建模布局变形之前，基于所述第一建模布局来检查是否存在所述MRC违规，其中，当基于所述第一建模布局执行所述MRC违规检查并且存在所述MRC违规时，将所述第一建模布局变形为所述第二建模布局来校正所述MRC违规，使得当基于所述第二建模执行所述MRC违规检查时，不存在所述MRC违规。11.根据权利要求10所述的掩模布局OPC方法，其中，将所述第一建模布局变形包括：当在所述第一建模布局中存在所述MRC违规时，去除所述目标图案的区域。12.根据权利要求1所述的掩模布局OPC方法，还包括：在所述MRC违规检查之后，基于仿真的轮廓图案，从所述光掩模布局计算边缘放置误差EPE；以及确定所述EPE是否不大于容差阈值。
13.一种掩模布局光学邻近校正OPC方法，包括：确定要在衬底上形成的目标图案；基于所述目标图案对光掩模布局进行仿真；向仿真的光掩模布局施加偏置，使得将所述光掩模布局校正为第一建模布局；在校正为所述第一建模布局之后，基于仿真的轮廓图案，从所述光掩模布局计算边缘放置误差EPE；确定所述EPE是否不大于容差...

【专利技术属性】
技术研发人员：全卲娘，张成勋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：