用于光掩模布局的光学邻近校正的方法技术

一种掩模布局光学邻近校正(OPC)方法，包括：确定要在衬底上形成的目标图案；基于目标图案对光掩模布局进行仿真；向仿真的光掩模布局施加偏置，从而将光掩模布局校正为第一建模布局；选择通过使用分割掩模的布局进行建模而获得的控制参数中的一个控制参数，从而将第一建模布局变形为第二建模布局；以及基于第二建模布局，检查是否存在掩模规则检查(MRC)违规。检查是否存在掩模规则检查(MRC)违规。检查是否存在掩模规则检查(MRC)违规。

【技术实现步骤摘要】
用于光掩模布局的光学邻近校正的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年12月23日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10
‑
2021
‑
0185937的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。


[0003]本公开的示例实施例涉及一种用于光掩模布局的光学邻近校正(OPC)的方法。

技术介绍

[0004]在半导体工艺中，为了在半导体衬底(例如，晶片等)上形成图案，可以使用掩模来执行光刻工艺。掩模可以指图案转移制品，在该图案转移制品中，由不透明材料制成的图案结构形成在透明基材上。在掩模制造工艺中，可以首先设计所需电路，然后可以设计该电路的布局，然后可以将通过光学邻近校正(OPC)获得的最终设计数据作为掩模流片(MTO)设计数据进行传输。随后，可以通过基于MTO设计数据执行掩模数据准备(MDP)、执行前端(FEOL)工艺(例如，曝光工艺等)和后端(BEOL)工艺(例如，缺陷检查等)来制造掩模。

技术实现思路

[0005]本公开的示例实施例提供了一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩模布局光学邻近校正OPC方法，包括：确定要在衬底上形成的目标图案；基于所述目标图案对光掩模布局进行仿真；向仿真的光掩模布局施加偏置，使得将所述光掩模布局校正为第一建模布局；选择通过使用分割掩模的布局进行建模而获得的至少一个控制参数；基于所选择的至少一个控制参数，将所述第一建模布局变形为第二建模布局；以及基于所述第二建模布局，检查是否存在掩模规则检查MRC违规。2.根据权利要求1所述的掩模布局OPC方法，还包括：制造所述分割掩模。3.根据权利要求2所述的掩模布局OPC方法，还包括：测量所述分割掩模中的至少一个掩模图案；以及提取所述分割掩模的至少一个布局轮廓。4.根据权利要求3所述的掩模布局OPC方法，还包括：基于所提取的至少一个布局轮廓，对所述分割掩模的布局进行建模；以及使用建模后的所述分割掩模的布局中的正确制造的部分和未正确制造的部分两者，对获得所述至少一个控制参数所用的所述建模进行校准。5.根据权利要求4所述的掩模布局OPC方法，其中，所述至少一个控制参数包括通过所述校准获得的值或通过基于所述布局轮廓进行建模而获得的值中的至少一个值。6.根据权利要求5所述的掩模布局OPC方法，其中，在确定所述目标图案之前执行制造所述分割掩模。7.根据权利要求5所述的掩模布局OPC方法，其中，所述至少一个控制参数基于密度核或高斯核中的至少一种。8.根据权利要求2所述的掩模布局OPC方法，还包括：将所述仿真、所述校正和所述MRC违规检查的重复次数与参考次数进行比较，以确定是否应该重复所述仿真、所述校正和所述MRC违规检查。9.根据权利要求8所述的掩模布局OPC方法，其中，当重复所述仿真、所述校正和所述MRC违规检查时，不重复制造所述分割掩模。10.根据权利要求1所述的掩模布局OPC方法，还包括：在将所述第一建模布局变形之前，基于所述第一建模布局来检查是否存在所述MRC违规，其中，当基于所述第一建模布局执行所述MRC违规检查并且存在所述MRC违规时，将所述第一建模布局变形为所述第二建模布局来校正所述MRC违规，使得当基于所述第二建模执行所述MRC违规检查时，不存在所述MRC违规。11.根据权利要求10所述的掩模布局OPC方法，其中，将所述第一建模布局变形包括：当在所述第一建模布局中存在所述MRC违规时，去除所述目标图案的区域。12.根据权利要求1所述的掩模布局OPC方法，还包括：在所述MRC违规检查之后，基于仿真的轮廓图案，从所述光掩模布局计算边缘放置误差EPE；以及确定所述EPE是否不大于容差阈值。
13.一种掩模布局光学邻近校正OPC方法，包括：确定要在衬底上形成的目标图案；基于所述目标图案对光掩模布局进行仿真；向仿真的光掩模布局施加偏置，使得将所述光掩模布局校正为第一建模布局；在校正为所述第一建模布局之后，基于仿真的轮廓图案，从所述光掩模布局计算边缘放置误差EPE；确定所述EPE是否不大于容差...

【专利技术属性】
技术研发人员：全卲娘，张成勋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：