【技术实现步骤摘要】
晶锭评估方法及检测装置
[0001]本专利技术涉及一种检测技术，尤其是，还涉及一种晶锭评估方法及检测装置。
技术介绍
[0002]碳化硅(SiC)是由硅与碳所组成的化合物半导体材料，其价格相当昂贵，且材料特性特殊。值得注意的是，SiC晶碇的质量将直接影响后续加工制程。若对具有较差质量的晶锭加工，则恐有良率不佳及加工质量差的情况，甚至耗费成本。
技术实现思路
[0003]本专利技术是针对一种晶锭评估方法及检测装置，可提早评估晶锭的优劣。
[0004]根据本专利技术的实施例，晶锭评估方法适用于评估晶圆。晶锭评估方法包括(但不仅限于)下列步骤：从晶碇取得晶圆的缺陷信息。这缺陷信息包括通过光学检测所辨识的一个或更多个缺陷的位置。根据缺陷信息确定这些缺陷的重心位置。根据重心位置评估这些缺陷的均匀度。这均匀度相关于晶圆经加工制程后的质量。
[0005]根据本专利技术的实施例，检测装置包括(但不仅限于)存储器及处理器。存储器用以存储程序代码。处理器耦接存储器，经配置用以加载并执行程序代码以取得晶圆的缺陷信息...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶锭评估方法适用于评估晶圆，其特征在于，所述晶锭评估方法包括：从晶碇取得晶圆的缺陷信息，其中所述缺陷信息包括通过光学检测所辨识的至少一缺陷的位置；根据所述缺陷信息确定所述缺陷的重心位置；以及根据所述重心位置评估所述缺陷的均匀度，其中所述均匀度相关于所述晶圆经加工制程后的质量。2.根据权利要求1所述的晶锭评估方法，其特征在于，所述均匀度的指标包括至少一评估值，且根据所述重心位置评估所述缺陷的所述均匀度的步骤包括：确定所述重心位置所在的分类范围，其中每一所述评估值对应于一个所述分类范围，且所述分类范围的中心相同于所述晶圆的中心；以及根据所述分类范围确定所述缺陷的评估值。3.根据权利要求2所述的晶锭评估方法，其特征在于，还包括：根据所述晶圆经所述加工制程后所预计的弯曲程度确定所述分类范围的边界相距于所述晶圆的中心的距离。4.根据权利要求2所述的晶锭评估方法，其特征在于，所述评估值包括多个评估值，所述缺陷包括多个缺陷类型的缺陷，所述缺陷信息还包括所述缺陷的所述缺陷类型，且根据所述分类范围确定所述缺陷的评估值的步骤包括：比较所述评估值中的第一评估值及第二评估值，其中所述第一评估值对应于所述缺陷类型中的第一类型的缺陷所形成的第一重心位置，且所述第二评估值对应于所述缺陷类型中的第二类型的缺陷所形成的第二重心位置；以及根据所述第一评估值及所述第二评估值的比较结果确定所述缺陷的评估值。5.根据权利要求4所述的晶锭评估方法，其特征在于，根据所述第一评估值及所述第二评估值的比较结果确定所述缺陷的评估值的步骤包括：确定所述第一评估值及所述第二评估值中的评估值最低的一个作为所述缺陷的评估值。6.根据权利要求4所述的晶锭评估方法，其特征在于，比较所述评估值中的所述第一评估值及所述第二评估值的步骤包括：比较所述第一重心位置及所述第二重心位置相距于所述晶圆的中心的距离。7.根据权利要求4所述的晶锭评估方法，其特征在于，根据所述缺陷信息确定所述缺陷的所述重心位置的步骤包括：分割所述晶圆成为多个区域，其中所述区域不重叠，且所述区域中的一个的边界相距于所述晶圆的中心的范围不同于所述区域中的另一个；以及分别确定所述区域中的所述缺陷的所述重心位置。8.根据权利要求7所述的晶锭评估方法，其特征在于，根据所述第一评估值及所述第二评估值...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁修启，
申请(专利权)人：环球晶圆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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