晶锭评估方法及检测装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种晶锭评估方法及检测装置。从晶碇取得晶圆的缺陷信息。这缺陷信息包括通过光学检测所辨识的一个或更多个缺陷的位置。根据缺陷信息确定这些缺陷的重心位置。根据重心位置评估这些缺陷的均匀度。这均匀度相关于晶圆经加工制程后的质量。由此，可提升生产良率及质量。率及质量。率及质量。

【技术实现步骤摘要】
晶锭评估方法及检测装置


[0001]本专利技术涉及一种检测技术，尤其是，还涉及一种晶锭评估方法及检测装置。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)是由硅与碳所组成的化合物半导体材料，其价格相当昂贵，且材料特性特殊。值得注意的是，SiC晶碇的质量将直接影响后续加工制程。若对具有较差质量的晶锭加工，则恐有良率不佳及加工质量差的情况，甚至耗费成本。

技术实现思路

[0003]本专利技术是针对一种晶锭评估方法及检测装置，可提早评估晶锭的优劣。
[0004]根据本专利技术的实施例，晶锭评估方法适用于评估晶圆。晶锭评估方法包括(但不仅限于)下列步骤：从晶碇取得晶圆的缺陷信息。这缺陷信息包括通过光学检测所辨识的一个或更多个缺陷的位置。根据缺陷信息确定这些缺陷的重心位置。根据重心位置评估这些缺陷的均匀度。这均匀度相关于晶圆经加工制程后的质量。
[0005]根据本专利技术的实施例，检测装置包括(但不仅限于)存储器及处理器。存储器用以存储程序代码。处理器耦接存储器，经配置用以加载并执行程序代码以取得晶圆的缺陷信息，根据缺陷信息确定一个或更多个缺陷的重心位置，并根据重心位置评估缺陷的均匀度。缺陷信息包括通过光源检测所辨识的缺陷的位置。均匀度相关于晶圆经加工制程后的质量。
[0006]基于上述，根据本专利技术实施例的晶锭评估方法及检测装置，利用缺陷中心推断缺陷分布的均匀性(例如，是否集中)，并据以作为评价晶锭优劣的根据。由此，可能趁早在晶圆验片阶段即判断晶碇质量，不仅能作为采购策略判断根据，还能节省大量成本，例如加工成本，且提升生产良率及质量，且减少产能损失。
附图说明
[0007]包含附图以便进一步理解本专利技术，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本专利技术的实施例，并与描述一起用于解释本专利技术的原理。
[0008]图1是根据本专利技术一实施例的检测装置的组件方块图；
[0009]图2是根据本专利技术一实施例的晶锭评估方法的流程图；
[0010]图3A及图3B是一范例说明针对基面位错(Basal Plan Dislocation，BPD)的不同质量验片的缺陷分布的示意图；
[0011]图4A及图4B是一范例说明针对刃状差排(Threading Edge Dislocation，TED)的不同质量验片的缺陷分布的示意图；
[0012]图5A及图5B是一范例说明针对贯通螺旋位错(Threading Screw Dislocation，TSD)的不同质量验片的缺陷分布的示意图；
[0013]图6是根据本专利技术一实施例的分类范围的示意图；
[0014]图7是图6的局部放大图；
[0015]图8A是一范例说明的最高评估值/等级的晶圆在0
‑
65毫米(mm)内的缺陷分布的示意图；
[0016]图8B是图8A的重心的示意图；
[0017]图9A是一范例说明的最高评估值/等级的晶圆在50
‑
65mm内的缺陷分布的示意图；
[0018]图9B是图9A的重心的示意图；
[0019]图10A是一范例说明的最高评估值/等级的晶圆在35
‑
50mm内的缺陷分布的示意图；
[0020]图10B是图10A的重心的示意图；
[0021]图11A是一范例说明的最高评估值/等级的晶圆在0
‑
35mm内的缺陷分布的示意图；
[0022]图11B是图11A的重心的示意图；
[0023]图12A是一范例说明的最低评估值/等级的晶圆在0
‑
65毫米内的缺陷分布的示意图；
[0024]图12B是图12A的重心的示意图；
[0025]图13A是一范例说明的最低评估值/等级的晶圆在50
‑
65mm内的缺陷分布的示意图；
[0026]图13B是图13A的重心的示意图；
[0027]图14A是一范例说明的最低评估值/等级的晶圆在35
‑
50mm内的缺陷分布的示意图；
[0028]图14B是图14A的重心的示意图；
[0029]图15A是一范例说明的最低评估值/等级的晶圆在0
‑
35mm内的缺陷分布的示意图；
[0030]图15B是图15A的重心的示意图。
[0031]附图标号说明
[0032]100:检测装置；
[0033]110:存储器；
[0034]130:处理器；
[0035]S210～S250:步骤；
[0036]BPD:基面位错；
[0037]TED:刃状差排；
[0038]TSD:贯通螺旋位错；
[0039]R1、R2:范围；
[0040]D1、D2、D3:距离；
[0041]x、y:轴。
具体实施方式
[0042]现将详细地参考本专利技术的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同组件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
[0043]图1是根据本专利技术一实施例的检测装置100的组件方块图。请参照图1，检测装置100包括(但不仅限于)存储器110及处理器130。
[0044]存储器110可以是任何型态的固定或可移动随机存取存储器(Radom Access Memory，RAM)、只读存储器(Read Only Memory，ROM)、快闪存储器(flash memory)、传统硬盘(Hard Disk Drive，HDD)、固态硬盘(Solid
‑
State Drive，SSD)或类似组件。在一实施例中，存储器110用以存储程序代码、软件模块、组态配置、数据(例如，缺陷信息、重心位置、均匀度、评估值或等级)或档案，并待后续实施例详述。
[0045]处理器130耦接存储器110。处理器130可以是中央处理单元(Central Processing Unit，CPU)、图形处理单元(Graphic Processing unit，GPU)，或是其他可程序化的一般用途或特殊用途的微处理器(Microprocessor)、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、可程序化控制器、现场可程序化逻辑闸阵列(Field Programmable Gate Array，FPGA)、特殊应用集成电路(Application
‑
Specific Integrated Circuit，ASIC)或其他类似组件或上述组件的组合。在一实施例中，处理器130的功能可实现在独立装置、集成电路(Integrated Circuit，IC)或软件。在一实施例中，处理器130用以执行所属检测装置100的所有或部分作业，且可加载并执行存储器110所存储的各软件模块、档案及数据。
[0046]下文中，将搭配检测装置100中的各项组件及模块说明本专利技术实施例所述的方法。本方法的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶锭评估方法适用于评估晶圆，其特征在于，所述晶锭评估方法包括：从晶碇取得晶圆的缺陷信息，其中所述缺陷信息包括通过光学检测所辨识的至少一缺陷的位置；根据所述缺陷信息确定所述缺陷的重心位置；以及根据所述重心位置评估所述缺陷的均匀度，其中所述均匀度相关于所述晶圆经加工制程后的质量。2.根据权利要求1所述的晶锭评估方法，其特征在于，所述均匀度的指标包括至少一评估值，且根据所述重心位置评估所述缺陷的所述均匀度的步骤包括：确定所述重心位置所在的分类范围，其中每一所述评估值对应于一个所述分类范围，且所述分类范围的中心相同于所述晶圆的中心；以及根据所述分类范围确定所述缺陷的评估值。3.根据权利要求2所述的晶锭评估方法，其特征在于，还包括：根据所述晶圆经所述加工制程后所预计的弯曲程度确定所述分类范围的边界相距于所述晶圆的中心的距离。4.根据权利要求2所述的晶锭评估方法，其特征在于，所述评估值包括多个评估值，所述缺陷包括多个缺陷类型的缺陷，所述缺陷信息还包括所述缺陷的所述缺陷类型，且根据所述分类范围确定所述缺陷的评估值的步骤包括：比较所述评估值中的第一评估值及第二评估值，其中所述第一评估值对应于所述缺陷类型中的第一类型的缺陷所形成的第一重心位置，且所述第二评估值对应于所述缺陷类型中的第二类型的缺陷所形成的第二重心位置；以及根据所述第一评估值及所述第二评估值的比较结果确定所述缺陷的评估值。5.根据权利要求4所述的晶锭评估方法，其特征在于，根据所述第一评估值及所述第二评估值的比较结果确定所述缺陷的评估值的步骤包括：确定所述第一评估值及所述第二评估值中的评估值最低的一个作为所述缺陷的评估值。6.根据权利要求4所述的晶锭评估方法，其特征在于，比较所述评估值中的所述第一评估值及所述第二评估值的步骤包括：比较所述第一重心位置及所述第二重心位置相距于所述晶圆的中心的距离。7.根据权利要求4所述的晶锭评估方法，其特征在于，根据所述缺陷信息确定所述缺陷的所述重心位置的步骤包括：分割所述晶圆成为多个区域，其中所述区域不重叠，且所述区域中的一个的边界相距于所述晶圆的中心的范围不同于所述区域中的另一个；以及分别确定所述区域中的所述缺陷的所述重心位置。8.根据权利要求7所述的晶锭评估方法，其特征在于，根据所述第一评估值及所述第二评估值...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁修启，
申请(专利权)人：环球晶圆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：