【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种高取向度PZT压电薄膜的制备方法
技术介绍
PZT压电薄膜材料因其大的机电耦合系数大(K2为20. 25% )，能够用于非易失性 存储器和微机电设备、易于与Si集成，引起人们对其研究的极大兴趣。PZT薄膜同样可以通 过溅射、PLD等方法制备，但目前常用的制备方法是溶胶一凝胶法。它是一种较低成本的制 膜方法，具有薄膜组分易控、结构致密、易大面积成膜、与IC工艺兼容等优点，是目前MEMS 技术中制备PZT薄膜广泛采用的方法。用溶胶_凝胶法可获得不错的薄膜性能，但膜厚不 易控制，重复性差，性能有待提高。磁控溅射法则无此弊端，与半导体工艺的兼容性好而得 到广泛关注。磁控溅射法制备PZT薄膜重复性比溶胶_凝胶法制备的PZT薄膜重复性好、 压电性更好，基于磁控溅射法制备PZT薄膜的电子器件、MEMS等是最有可能取得预期效果 的。目前，在PZT压电薄膜的制备上尽管尚存在许多亟待解决的问题，但不可否认的是，PZT 在诸多方面仍然具有广阔的应用前景。PZT薄膜器件的一种基本结构是压电薄膜夹在作为上下电极的导电膜间构成三层 结构。因为铁电薄膜要淀积在下电极上，下...
【技术保护点】
高取向度ＰＺＴ压电薄膜的制备方法。其特征在于在硅片上从下而上先后生长ＳｉＯ↓［２］层、Ｔｉ层、Ｐｔ层、ＰｂＴｉＯ↓［３］层（又名ＰＴ层，用作籽晶层、种子层，采用ＭＯＣＶＤ或溅射、或ＭＢＥ方法制作）、ＰＺＴ层（旋涂或溅射）、上电极层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：冯士维，钟素娟，
申请(专利权)人：冯士维，钟素娟，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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