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本发明公开了一种高取向度ＰＺＴ压电薄膜的制备方法。其特征在于在硅片上先后生长ＳｉＯ２层、Ｔｉ层、Ｐｔ层、ＰｂＴｉＯ３（简写ＰＴ层，用作籽晶层或称种子层，采用ＭＯＣＶＤ或溅射或ＭＢＥ方法制作）、ＰＺＴ层（旋涂或溅射）、上电极层。在ＰＴ和ＰＺＴ...
该专利属于冯士维;钟素娟所有，仅供学习研究参考，未经过冯士维;钟素娟授权不得商用。

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