磁致伸缩多层膜直接磁性耦合制备方法技术

一种磁致伸缩多层膜直接磁性耦合制备方法，属磁敏感功能材料技术领域。（１）抛光预处理衬底；其衬底为可溶于蒸馏水的可溶性立方结构晶体；（２）利用高真空磁控溅射设备在衬底上依次溅射缓冲层、磁致伸缩复合层、保护层；上述磁致伸缩复合层为压磁材料层和反铁磁材料层交替沉积的人工周期多层膜结构，周期数为５０～１００，上述压磁材料层厚度需小于其交换耦合长度，反铁磁层厚度需大于其临界厚度，在沉积磁致伸缩复合层时，施加５０～５００Ｏｅ的平面诱导磁场；（３）沉积完成后进行热处理以消除内应力；（４）再将样品浸入到蒸馏水中使多层膜与衬底剥离。本方法可用于设计制备具有近零场磁敏特性的磁致伸缩材料，方法简单、效果好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，属于磁敏感功能材料

技术介绍
随着微电子技术和纳米科学研究的不断深入，使电子器件及整机向微、精、薄、轻、多功能、高可靠方向发展，由此而孕育产生的微机电系统改变了人们对传统器件和整机的观念。MEMS将信息处理及机械动作集成，大大缩小了原有系统的体积，提高了系统的可靠性。而近几年发展起来的低场高灵敏度的磁致伸缩薄膜材料作为新型机电转换智能薄膜材料，具有输出力大、能量密度高、驱动方法简单等特点，使其在微机械和微系统等工程领域应用中成为首选的功能材料之一。如利用磁致伸缩薄膜材料高的机电耦合系数及高的机电转换效率，可研制微小型化、可调谐的声表面波(SAW)器件；利用高的磁致伸缩应变系数，可研制各类军用MEMS伺服器，如精密定位装置、微型马达、流体控制系统(微泵、微阀等)，可应用于燃料注入系统、生物DNA检测等领域。在采用磁致伸縮薄膜设计器件时，通常在GMF上施加一定的由永磁体产生的偏置磁场，使磁致伸缩薄膜处于预极化状态，避免倍频现象的产生，而使其工作于线性区。但是放置永磁体增加了整个器件的空间占有率，与基于磁致伸缩材料的MEMS等微器件设计思路相悖。
技术实现思路
本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁致伸缩多层膜直接磁性耦合制备方法，其特征在于包括以下步骤：　（１）、抛光预处理衬底，其中衬底为可溶于蒸馏水的可溶性立方结构晶体；　（２）、利用高真空磁控溅射设备在衬底上依次溅射缓冲层、磁致伸缩复合层、保护层；上述磁致伸缩复 合层为压磁材料层和反铁磁材料层交替沉积的人工周期多层膜结构，周期数为５０～１００，上述压磁材料层厚度小于其交换耦合长度，反铁磁层厚度大于其临界厚度，在沉积磁致伸缩复合层时，施加５０～５００Ｏｅ的平面诱导磁场；　（３）、沉积完成后进行热 处理以消除内应力；　（４）、再将样品浸入到蒸馏水中使多层膜与衬底剥离。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王寅岗，许泽兵，何振鲁，
申请(专利权)人：南京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]