显示装置制造方法及图纸

显示装置包括显示面板，所述显示面板包括多个绝缘层以及电连接到数据线和扫描线的像素。所述像素包括发光元件、第一晶体管、第二晶体管、第一电容器和第二电容器。第一晶体管包括第一电极、电连接到所述发光元件的第二电极和连接到第一节点的栅极电极。第二晶体管包括连接到所述数据线的第一电极、连接到第二节点的第二电极以及电连接到所述扫描线的栅极电极。所述第一晶体管的所述栅极电极和第一导电图案限定所述第一电容器。所述第一导电图案和第二导电图案限定所述第二电容器。所述第一导电图案介于第一绝缘层与第二绝缘层之间。所述第二导电图案介于所述第二绝缘层与第三绝缘层之间。所述第二晶体管的所述第二电极电连接到所述第一导电图案。到所述第一导电图案。到所述第一导电图案。

【技术实现步骤摘要】
显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年12月16日提交的第10
‑
2021
‑
0181089号韩国专利申请的优先权以及从其获得的所有权益，上述韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。


[0003]本文中描述的本公开的实施例涉及一种包括像素的显示装置。

技术介绍

[0004]显示装置包括显示图像的多个像素。多个像素中的每一个可以包括发光器件、用于驱动发光器件的至少一个薄膜晶体管以及电容器。薄膜晶体管和电容器可以基于从驱动电路提供的电信号控制发光器件。

技术实现思路

[0005]本公开的实施例提供一种包括能够充分地确保像素中的电容器的电容的显示装置。
[0006]根据实施例，一种显示装置包括：显示面板，包括多个绝缘层以及电连接到数据线和扫描线的像素。在这样的实施例中，所述像素包括：发光元件；第一晶体管，包括第一电极、电连接到所述发光元件的第二电极以及连接到第一节点的栅极电极；第二晶体管，包括连接到所述数据线的第一电极、连接到第二节点的第二电极以及电连接到所述扫描线的栅极电极；第一电容器，由所述第一晶体管的所述栅极电极和第一导电图案限定；以及第二电容器，由所述第一导电图案和第二导电图案限定。在这样的实施例中，所述多个绝缘层包括第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层上的第二绝缘层以及设置在所述第二绝缘层上的第三绝缘层。在这样的实施例中，所述第一导电图案介于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间。在这样的实施例中，所述第二导电图案介于所述第二绝缘层与所述第三绝缘层之间。在这样的实施例中，所述第二晶体管的所述第二电极电连接到所述第一导电图案。
[0007]在实施例中，第一开口可以穿过所述第二导电图案限定。
[0008]在实施例中，所述像素还可以包括第一连接电极，所述第一连接电极设置在所述第一开口中并且电连接到所述第一导电图案和所述第二晶体管的所述第二电极。
[0009]在实施例中，所述第二晶体管的所述第二电极可以通过穿过所述第三绝缘层限定的第一接触孔连接到所述第一连接电极。
[0010]在实施例中，所述第一晶体管的所述栅极电极、所述第一导电图案和所述第二导电图案可以在所述显示面板的厚度方向上彼此重叠。
[0011]在实施例中，所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一者可以包括半导体区域。在这样的实施例中，所述第一晶体管的所述半导体区域可以包括硅半导体，并且所述第二晶体管的所述半导体区域可以包括金属氧化物。
[0012]在实施例中，所述像素还可以包括：第三晶体管，包括连接到所述第一节点的第一
电极、第二电极、半导体区域以及电连接到所述扫描线的栅极电极。
[0013]在实施例中，第二开口可以穿过所述第二导电图案限定，并且第三开口可以穿过所述第一导电图案限定。在这样的实施例中，所述第二开口可以在所述显示面板的厚度方向上与所述第三开口重叠。
[0014]在实施例中，所述像素还可以包括第一连接电极和第二连接电极，所述第一连接电极设置在所述第一开口中并且电连接到所述第一导电图案到所述第二晶体管的所述第二电极，所述第二连接电极设置在所述第二开口中并且电连接到所述第一连接电极。在这样的实施例中，所述第一连接电极可以通过穿过所述第一绝缘层限定的接触孔电连接到所述第一晶体管的所述栅极电极。在这样的实施例中，所述第三晶体管的所述第一电极可以通过穿过所述第三绝缘层限定的第二接触孔电连接到所述第二连接电极。
[0015]在实施例中，所述第三晶体管的所述半导体区域可以包括金属氧化物。
[0016]在实施例中，所述像素还可以包括第四晶体管，所述第四晶体管包括连接到所述第三晶体管的所述第二电极的第一电极、连接到电压线的第二电极以及连接到另一扫描线的栅极电极。
[0017]在实施例中，所述像素还可以包括连接在所述第二节点与另一扫描线之间的第三电容器。
[0018]根据实施例，一种显示装置包括：显示面板，包括多个绝缘层以及电连接到数据线、第一扫描线和第二扫描线的像素。在这样的实施例中，所述像素包括：发光元件；第一晶体管，包括第一电极、电连接到所述发光元件的第二电极以及连接到第一节点的栅极电极；第二晶体管，包括连接到所述数据线的第一电极、连接到所述第一晶体管的所述第一电极的第二电极以及电连接到所述第一扫描线的栅极电极；第三晶体管，包括连接到所述第一晶体管的所述第一电极的第一电极、第二电极以及电连接到所述第二扫描线的栅极电极；第一电容器，由所述第一晶体管的所述栅极电极和第一导电图案限定；以及第二电容器，由所述第一导电图案和第二导电图案限定。在这样的实施例中，所述多个绝缘层包括第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层上的第二绝缘层以及设置在所述第二绝缘层上的第三绝缘层。在这样的实施例中，所述第一晶体管的所述栅极电极设置在所述第一绝缘层下面。在这样的实施例中，所述第一导电图案介于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间。在这样的实施例中，所述第二导电图案介于所述第二绝缘层与所述第三绝缘层之间。在这样的实施例中，所述第三晶体管的所述第二电极电连接到所述第一导电图案。
[0019]在实施例中，第一开口可以穿过所述第二导电图案限定。
[0020]在实施例中，所述像素还可以包括第一连接电极，所述第一连接电极设置在所述第一开口中并且电连接到所述第一导电图案和所述第三晶体管的所述第二电极。
[0021]在实施例中，所述第三晶体管的所述第二电极可以通过穿过所述第三绝缘层限定的第一接触孔连接到所述第一连接电极。
[0022]在实施例中，所述第一晶体管的所述栅极电极、所述第一导电图案和所述第二导电图案可以在所述显示面板的厚度方向上彼此重叠。
[0023]在实施例中，所述第一晶体管至所述第三晶体管中的每一者可以包括半导体区域。在这样的实施例中，所述第一晶体管的所述半导体区域和所述第二晶体管的所述半导体区域中的每一者可以包括硅半导体。在这样的实施例中，所述第三晶体管的所述半导体
区域可以包括金属氧化物。
[0024]在实施例中，所述像素还可以包括：第四晶体管，包括连接到所述第一节点的第一电极、第二电极、半导体区域以及电连接到所述第二扫描线的栅极电极。
[0025]在实施例中，第二开口可以穿过所述第二导电图案限定，并且第三开口可以穿过所述第一导电图案限定。在这样的实施例中，所述像素还可以包括第一连接电极和第二连接电极，所述第一连接电极设置在所述第一开口中并且电连接到所述第一导电图案和所述第三晶体管的所述第二电极，所述第二连接电极设置在所述第二开口中并且电连接到所述第一连接电极。在这样的实施例中，所述第一连接电极可以通过穿过所述第一绝缘层限定的接触孔电连接到所述第一晶体管的所述栅极电极。在这样的实施例中，所述第四晶体管的所述第一电极可以通过穿过所述第三绝缘层限定的第二接触孔电连接到所述第二连接电极。
附图说明
[0026]通过参照附图详细描述本公开的实施例，本公本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：显示面板，包括多个绝缘层以及电连接到数据线和扫描线的像素，其中，所述像素包括：发光元件；第一晶体管，包括第一电极、电连接到所述发光元件的第二电极以及连接到第一节点的栅极电极；第二晶体管，包括连接到所述数据线的第一电极、连接到第二节点的第二电极以及电连接到所述扫描线的栅极电极；第一电容器，由所述第一晶体管的所述栅极电极和第一导电图案限定；以及第二电容器，由所述第一导电图案和第二导电图案限定，其中，所述多个绝缘层包括第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层上的第二绝缘层以及设置在所述第二绝缘层上的第三绝缘层，其中，所述第一导电图案介于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间，其中，所述第二导电图案介于所述第二绝缘层与所述第三绝缘层之间，并且其中，所述第二晶体管的所述第二电极电连接到所述第一导电图案。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，第一开口穿过所述第二导电图案限定。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述像素还包括第一连接电极，所述第一连接电极设置在所述第一开口中并且电连接到所述第一导电图案和所述第二晶体管的所述第二电极。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第二晶体管的所述第二电极通过穿过所述第三绝缘层限定的第一接触孔连接到所述第一连接电极。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一晶体管的所述栅极电极、所述第一导电图案和所述第二导电图案在所述显示面板的厚度方向上彼此重叠。6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一者包括半导体区域，并且其中，所述第一晶体管的所述半导体区域包括硅半导体，并且所述第二晶体管的所述半导体区域包括金属氧化物。7.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述像素还包括：第三晶体管，包括连接到所述第一节点的第一电极、第二电极、半导体区域以及电连接到所述扫描线的栅极电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜章美，金亨锡，朴埈贤，郑珉在，田武经，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：