光刻胶层的处理方法及光刻胶层技术

本公开提供了一种光刻胶层的处理方法及光刻胶层，处理方法包括：在目标层上形成光刻胶层，光刻胶层包括靠近目标层的第一部分以及远离目标层的第二部分；对光刻胶层进行第一曝光处理，在光刻胶层的第一部分形成曝光图像；采用第一工艺对光刻胶层的第二部分进行处理，第二部分形成为第三部分，第三部分的光敏感度比第一部分的光敏感度高；剥离第三部分。在本公开中，在光刻胶的第一部分中形成曝光图像，并且去除经过对第二部分进行第一工艺处理而得到的第三部分，避免第三部分影响光刻分辨率，保留的第一部分的光刻分辨率更高，在第一部分中形成的曝光图像的尺寸形貌更符合预期。部分中形成的曝光图像的尺寸形貌更符合预期。部分中形成的曝光图像的尺寸形貌更符合预期。

【技术实现步骤摘要】
光刻胶层的处理方法及光刻胶层


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种光刻胶层的处理方法及光刻胶层。

技术介绍

[0002]光刻工艺(Photolithography Process)是制作集成电路(Integrated Circuit简称IC)最重要的工艺步骤之一，光刻工艺用于在半导体衬底上形成期望的图案，随着集成电路工艺的发展以及半导体元件的特征尺寸(Critical Dimension)的不断缩小，对光刻工艺的精度的要求越来越高。

技术实现思路

[0003]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0004]本公开提供了一种光刻胶层的处理方法及光刻胶层。
[0005]本公开的第一方面提供了一种光刻胶层的处理方法，所述处理方法包括：
[0006]在目标层上形成光刻胶层，所述光刻胶层包括靠近所述目标层的第一部分以及远离所述目标层的第二部分；
[0007]对所述光刻胶层进行第一曝光处理，在所述光刻胶层的所述第一部分形成曝光图像；<br/>[0008]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶层的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括：在目标层上形成光刻胶层，所述光刻胶层包括靠近所述目标层的第一部分以及远离所述目标层的第二部分；对所述光刻胶层进行第一曝光处理，在所述光刻胶层的所述第一部分形成曝光图像；采用第一工艺对所述光刻胶层的第二部分进行处理，所述第二部分形成为第三部分，所述第三部分的光敏感度比所述第一部分的光敏感度高；剥离所述第三部分。2.根据权利要求1所述的光刻胶层的处理方法，其特征在于，所述剥离所述第三部分，包括：对所述光刻胶层进行第二曝光处理，以曝光所述第三部分；对所述光刻胶层进行第一显影处理，剥离所述第三部分。3.根据权利要求1所述的光刻胶层的处理方法，其特征在于，所述采用第一工艺对所述光刻胶层的第二部分进行处理，包括：自所述光刻胶层的顶面向所述光刻胶层中注入氢离子，所述氢离子的注入深度为第一深度，所述第一深度与所述第二部分的厚度相等，向所述第二部分注入氢离子后，所述第二部分形成为所述第三部分，所述第三部分的氢离子浓度比所述第一部分的氢离子浓度高。4.根据权利要求1所述的光刻胶层的处理方法，其特征在于，所述采用第一工艺对所述光刻胶层的第二部分进行处理，包括：向所述光刻胶层的顶面喷涂酸性气体，所述酸性气体将所述第二部分中的光致酸生成物还原为光致酸产生剂，所述第二部分形成为所述第三部分，所述第三部分的光致酸产生剂的浓度比所述第一部分的光致酸产生剂的浓度高。5.根据权利要求1所述的光刻胶层的处理方法，其特征在于，所述处理方法，还包括：对所述第一部分进行第二显影处理，以图案化所述第一部分为光刻胶图案。6.根据权利要求1所述的光刻胶层的处理方法，其特征在于，所述对所述光刻胶层进行第一曝光处理，包括：在第一介质中向所述光刻胶层发射第一入射光束，所述第一入射光束穿过所述第二部分，在所述第一部分形成所述曝光图像。7.根据权利要求6所述的光刻胶层的处理方法，其特征在于，所述第一入射光束具有第一波长，所述第一入射光束被所述第二部分折射为具有第二波长的第二入射光束，其中，所述第二波长小于所述第一波长；所述对所述光刻胶层进行第一曝光处理，还包括：所述第二入射光束入射至所述第一部分，所述第二入射光束在所述第一部分形成所述曝光图像。8.根据权利要求7所述的光刻胶层的处理方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹堪宇，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：