光刻胶图案的形成方法和投影式曝光装置制造方法及图纸

本公开提供一种光刻胶图案的形成方法和投影式曝光装置，形成方法包括：提供光刻胶层，将所述光刻胶层置于所述投影物镜的下方，所述光折射板位于所述光刻胶层和所述投影物镜之间；通过所述投影物镜和所述光折射板对所述光刻胶层进行曝光处理，在所述光刻胶层形成曝光图像，所述光折射板用于减小入射至所述光刻胶层的光波的波长。本公开所提供的光刻胶图案的形成方法和投影式曝光装置中，通过设置于光刻胶层与投影物镜之间的光折射板，减小入射到光刻胶层的光波的波长，从而提高了分辨率，提高了光刻胶图案的精度。了光刻胶图案的精度。了光刻胶图案的精度。

【技术实现步骤摘要】
光刻胶图案的形成方法和投影式曝光装置


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种光刻胶图案的形成方法和投影式曝光装置。

技术介绍

[0002]光刻工艺(Photolithography Process)是制作集成电路(Integrated Circuit简称IC)最重要的工艺步骤之一，光刻工艺用于在半导体衬底上形成期望的图案，随着集成电路工艺的发展以及半导体元件的特征尺寸(Critical Dimension)的不断缩小，对光刻工艺的精度的要求越来越高。

技术实现思路

[0003]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0004]本公开提供一种光刻胶图案的形成方法和投影式曝光装置。
[0005]本公开的第一方面提供了一种光刻胶图案的形成方法，所述形成方法应用于投影式曝光装置，所述投影式曝光装置包括投影物镜和光折射板，所述形成方法包括：
[0006]提供光刻胶层，将所述光刻胶层置于所述投影物镜的下方，所述光折射板位于所述光刻胶层和所述投影物镜之间；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶图案的形成方法，其特征在于，所述形成方法应用于投影式曝光装置，所述投影式曝光装置包括投影物镜和光折射板，所述形成方法包括：提供光刻胶层，将所述光刻胶层置于所述投影物镜的下方，所述光折射板位于所述光刻胶层和所述投影物镜之间；通过所述投影物镜和所述光折射板对所述光刻胶层进行曝光处理，在所述光刻胶层形成曝光图像，所述光折射板用于减小入射至所述光刻胶层的光波的波长。2.根据权利要求1所述的光刻胶图案的形成方法，其特征在于，所述通过所述投影物镜和所述光折射板对所述光刻胶层进行曝光处理，在所述光刻胶层形成曝光图像，包括：所述投影物镜向所述光刻胶层发射具有第一波长的第一入射光束，所述第一入射光束入射至所述光折射板，所述第一入射光束被所述光折射板折射为具有第二波长的第二入射光束，其中，所述第二波长小于所述第一波长；所述第二入射光束入射至所述光刻胶层，所述第二入射光束在所述光刻胶层形成所述曝光图像。3.根据权利要求2所述的光刻胶图案的形成方法，其特征在于，所述曝光处理在第一介质中进行，所述投影物镜向所述光刻胶层发射的所述第一入射光束在入射至所述光刻胶层之前穿过第一介质层。4.根据权利要求3所述的光刻胶图案的形成方法，其特征在于，所述第一介质层形成在所述光刻胶层和所述光折射板之间，或，所述第一介质层形成在所述投影式曝光装置的光折射板和投影物镜之间。5.根据权利要求4所述的光刻胶图案的形成方法，其特征在于，所述光折射板的折射率大于所述第一介质层的折射率，所述光折射板的折射率小于所述光刻胶层的折射率。6.根据权利要求4所述的光刻胶图案的形成方法，其特征在于，当所述第一介质层形成在所述光刻胶层和所述光折射板之间时，所述第一介质层的厚度小于所述第二波长的十分之一。7.根据权利要求1所述的光刻胶图案的形成方法，其特征在于，所述投影式曝光装置包括掩膜台，所述形成方法还包括：提供掩膜版，...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹堪宇，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：