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光刻胶层的处理方法及光刻胶层技术
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文档序号:37889619
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本公开提供了一种光刻胶层的处理方法及光刻胶层,处理方法包括:在目标层上形成光刻胶层,光刻胶层包括靠近目标层的第一部分以及远离目标层的第二部分;对光刻胶层进行第一曝光处理,在光刻胶层的第一部分形成曝光图像;采用第一工艺对光刻胶层的第二部分进行...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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