一种基于硅基衬底的胶体量子点光发射器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于硅基衬底的胶体量子点光发射器及其制备方法，包括衬底，散热机构，所述散热机构固定在所述衬底上；电极层I，设置在所述衬底背离所述散热机构的一侧，所述电极层I包括第一电极和第二电极；第一载流子注入层，设置在所述电极层I上；第一载流子传输层，设置在所述第一载流子注入层上；量子点发光层，设置在所述第一载流子传输层上；第二载流子传输层，设置在所述量子点发光层上；第二载流子注入层，设置在所述第二载流子传输层上；电极层II，设置在所述第二载流子注入层上；所述电极层II包括第三电极和第四电极；高取光层，设置在所述电极层II上。器件具有高发光效率、高传输速率、宽带宽。宽带宽。宽带宽。

【技术实现步骤摘要】
一种基于硅基衬底的胶体量子点光发射器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及量子点光发射器件领域，尤其涉及的是一种基于硅基衬底的胶体量子点光发射器及其制备方法。

技术介绍

[0002]有机电致发光聚合物二极管(PLED)，有机发光二极管(OLED)，钙钛矿发光二极管(PeLED)和量子点发光二极管(QLED)被认为具有溶液可加工性和易于制备的优点，是合适的光源，可应用于可见光通信中。但是现有的上述几种器件，与GaN LED相比都存在带宽较小和传输效率较低等问题。
[0003]US7902556B2公开的一个实施例提供了一种半导体发光器件，其包括：(1)硅(Si)衬底；(2)银(Ag)过渡层，其形成在所述Si衬底的表面上，其中所述Ag过渡层覆盖所述Si衬底表面；以及(3)基于InGaAlN、ZnMgCdO或ZnBeCdO的半导体发光结构，其制备在Ag涂覆的Si衬底上。在此器件结构中，Ag过渡层防止Si衬底表面与用于生长半导体发光结构的反应气体形成非晶形覆盖层。
[0004]CN112466917A公开了一种硅基OLED器件的结构，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于硅基衬底的胶体量子点光发射器，包括衬底，其特征在于，还包括：散热机构，所述散热机构固定在所述衬底上；电极层I，设置在所述衬底背离所述散热机构的一侧，所述电极层I包括第一电极和第二电极；第一载流子注入层，设置在所述电极层I上；第一载流子传输层，设置在所述第一载流子注入层上；量子点发光层，设置在所述第一载流子传输层上；第二载流子传输层，设置在所述量子点发光层上；第二载流子注入层，设置在所述第二载流子传输层上；电极层II，设置在所述第二载流子注入层上；所述电极层II包括第三电极和第四电极；高取光层，设置在所述电极层II上。2.根据权利要求1所述的基于硅基衬底的胶体量子点光发射器，其特征在于，所述散热机构包括：热沉和散热器，所述散热器固定在所述衬底上，所述热沉设置在所述衬底与所述散热器之间，且与所述衬底表面接触。3.根据权利要求2所述的基于硅基衬底的胶体量子点光发射器，其特征在于，所述散热器包括：风冷散热器、水冷散热器以及液氮散热器。4.根据权利要求1所述的基于硅基衬底的胶体量子点光发射器，其特征在于，所述构成所述第一电极和第四电极的金属选自钡、钙、铝、镁、锡、铟、铜、银、金或铂中的任意一种或多种；所述构成所述第二电极和第三电极的材料包括金属、金属氧化物、碳纳米管、石墨烯以及氧化石墨烯；所述金属选自钡、钙、铝、镁、锡、铜、银、金或铂中的任意一种或多种；所述金属氧化物包括铟锡氧化物、铕掺杂的氧化锌。5.根据权利要求1所述的基于硅基衬底的胶体量子点光发射器，其特征在于，所述第一电极和第四电极的厚度分别为30
‑
500nm；所述第二电极和第三电极的厚度分别为50
‑
300nm。6.根据权利要求1所述的基于硅基衬底的胶体量子点光发射器，其特征在于，所述第一载流子注入层和第二载流子注入层的厚度分别为0.2
‑
60nm；所述第一载流子传输层和所述第二载流子传输...

【专利技术属性】
技术研发人员：张楠，贾思琪，谢启杰，纳全鑫，
申请(专利权)人：鹏城实验室，
类型：发明
国别省市：