一种用于多晶硅生产中过滤器的置换方法及置换系统技术方案

本发明专利技术提供了一种用于多晶硅生产中过滤器的置换方法及置换系统，涉及多晶硅生产技术领域。用于多晶硅生产中过滤器的置换方法包括以下步骤：S1：向过滤器内持续通入高温氮气，使过滤器内的混合液受热蒸发，并向收集罐内排放过滤器内的气体；S2：待过滤器内的混合液蒸发，并且过滤器内的气体被高温氮气置换后，向过滤器内持续通入低温氮气；S3：当过滤器内的温度降至室温时，停止向过滤器内通入低温氮气，并断开过滤器与收集罐的连接；过滤器对空泄压至常压。本申请提供的用于多晶硅生产中过滤器的置换方法能够有效去除过滤器内部残留的氯硅烷混合液以及氯硅烷混合气体，从而降低作业人员进入过滤器内部工作时的风险。员进入过滤器内部工作时的风险。员进入过滤器内部工作时的风险。

【技术实现步骤摘要】
一种用于多晶硅生产中过滤器的置换方法及置换系统


[0001]本专利技术涉及多晶硅生产
，尤其涉及一种用于多晶硅生产中过滤器的置换方法及置换系统。

技术介绍

[0002]在多晶硅的生产过程中会产生含有二氯二氢硅、三氯氢硅、四氯化硅等多种氯硅烷的混合液。混合液中常混杂有硅粉、高沸物、硅胶、金属化合物等固相物，因此需要使用过滤器将固相物与混合液分离。过滤器长时间使用后，需要作业人员进入过滤器内部进行清理；但是过滤器内部会残留氯硅烷气体，容易导致作业人员中毒，并且容易引发着火、闪爆等事故。
[0003]目前通常采用向过滤器内通入常温氮气的方式，对过滤器内残留的氯硅烷气体进行置换。但是过滤器内可能会残留部分氯硅烷混合液，只通入常温氮气无法清除氯硅烷混合液；氯硅烷混合液在环境气温比较高时，与空气接触，将产生大量氯硅烷挥发性气体，从而对作业人员进入过滤器内工作造成安全隐患。

技术实现思路

[0004]为克服现有技术中的不足，本专利技术提供一种用于多晶硅生产中过滤器的置换方法及置换系统。
[0005]本专利技术提供如下技术方案：
[0006]一种用于多晶硅生产中过滤器的置换方法，包括以下步骤：
[0007]S1：向过滤器内持续通入高温氮气，使所述过滤器内的混合液受热蒸发，并向收集罐内排放所述过滤器内的气体；
[0008]S2：待所述过滤器内的所述混合液蒸发，并且所述过滤器内的气体被所述高温氮气置换后，向所述过滤器内持续通入低温氮气；
[0009]S3：当所述过滤器内的温度降至室温时，停止向所述过滤器内通入所述低温氮气，并断开所述过滤器与所述收集罐的连接；所述过滤器对空泄压至常压。
[0010]在一种可能的实施方式中，所述步骤S1之前还包括，在所述过滤器远离所述收集罐的一侧连接加热器，所述加热器用于向所述过滤器内部提供所述高温氮气。
[0011]在一种可能的实施方式中，所述步骤S1还包括，待所述加热器出口处的压力大于所述过滤器内部的压力后，再将所述高温氮气通入所述过滤器内。
[0012]在一种可能的实施方式中，所述加热器将所述高温氮气的温度加热至65℃
‑
80℃之间。
[0013]在一种可能的实施方式中，所述步骤S1还包括，控制所述过滤器内的升温速度为10℃/分钟，控制所述过滤器内的最高温度不超过80℃。
[0014]在一种可能的实施方式中，所述步骤S2还包括，逐渐减低通入所述过滤器内所述低温氮气的温度。
[0015]在一种可能的实施方式中，所述步骤S3之后还包括，向所述过滤器内持续通入常温氮气，以置换所述过滤器内的空气；待所述过滤器内的所述空气被所述常温氮气置换后，停止向所述过滤器内通入所述常温氮气，并将所述过滤器泄压至微正压。
[0016]第二方面，本专利技术还提供了一种置换系统，所述置换系统包括依次连接的氮气管网、加热器、过滤器及收集罐；所述氮气管网用于向所述加热器提供氮气；所述加热器用于加热所述氮气，以向所述过滤器内部持续通入高温氮气；所述过滤器用于过滤混合液中的固相物；所述收集罐用于储存所述混合液和混合气体。
[0017]在一种可能的实施方式中，所述加热器包括本体和加热元件；所述加热元件的一端设于所述本体内，所述加热元件用于加热所述本体内的所述氮气。
[0018]在一种可能的实施方式中，所述本体上分别设有第一进口和第一出口，所述过滤器上分别设有第二进口和第二出口；所述第一进口与所述氮气管网连接，所述第一出口与所述第二进口连接，所述第二出口与所述收集罐连接。
[0019]相比现有技术，本专利技术的有益效果：
[0020]本申请实施例提供的用于多晶硅生产中过滤器的置换方法，通过向过滤器内持续通入高温氮气，高温氮气能够使过滤器内的温度升高，进而使过滤器内残留的氯硅烷混合液蒸发成氯硅烷混合气体；并且高温氮气还能够促使氯硅烷混合气体流入收集罐内。待过滤器内的氯硅烷混合液彻底蒸发，并且过滤器内的氯硅烷混合气体被高温氮气完全置换后，再向过滤器内持续通入低温氮气，以对过滤器的内部进行降温。过滤器内的温度降至室温时，停止向过滤器内通入低温氮气，并断开过滤器与收集罐的连接；过滤器对空泄压至常压。本申请提供的用于多晶硅生产中过滤器的置换方法能够有效去除过滤器内部残留的氯硅烷混合液以及氯硅烷混合气体，从而降低作业人员进入过滤器内部工作时的风险。
[0021]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显和易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，做详细说明如下。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0023]图1示出了本专利技术一实施例用于多晶硅生产中过滤器的置换方法的流程示意图；
[0024]图2示出了本专利技术一实施例置换系统的示意图；
[0025]图3示出了本专利技术一实施例加热器的结构示意图；
[0026]图4示出了本专利技术一实施例过滤器的结构示意图。
[0027]主要元件符号说明：
[0028]100
‑
氮气管网；200
‑
加热器；210
‑
本体；211
‑
第一进口；212
‑
第一出口；220
‑
加热元件；300
‑
过滤器；310
‑
第二进口；320
‑
第二出口；400
‑
收集罐。
具体实施方式
[0029]下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终
相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。
[0030]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0031]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0032]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于多晶硅生产中过滤器的置换方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：向过滤器内持续通入高温氮气，使所述过滤器内的混合液受热蒸发，并向收集罐内排放所述过滤器内的气体；S2：待所述过滤器内的所述混合液蒸发，并且所述过滤器内的气体被所述高温氮气置换后，向所述过滤器内持续通入低温氮气；S3：当所述过滤器内的温度降至室温时，停止向所述过滤器内通入所述低温氮气，并断开所述过滤器与所述收集罐的连接；所述过滤器对空泄压至常压。2.根据权利要求1所述的用于多晶硅生产中过滤器的置换方法，其特征在于，所述步骤S1之前还包括，在所述过滤器远离所述收集罐的一侧连接加热器，所述加热器用于向所述过滤器内部提供所述高温氮气。3.根据权利要求2所述的用于多晶硅生产中过滤器的置换方法，其特征在于，所述步骤S1还包括，待所述加热器出口处的压力大于所述过滤器内部的压力后，再将所述高温氮气通入所述过滤器内。4.根据权利要求2所述的用于多晶硅生产中过滤器的置换方法，其特征在于，所述加热器将所述高温氮气的温度加热至65℃
‑
80℃之间。5.根据权利要求1所述的用于多晶硅生产中过滤器的置换方法，其特征在于，所述步骤S1还包括，控制所述过滤器内的升温速度为10℃/分钟，控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊曦，万建伟，牛牧青，包明，易军，陈亮亮，
申请(专利权)人：甘肃瓜州宝丰硅材料开发有限公司，
类型：发明
国别省市：