一种基于石墨烯/硒纳米晶复合材料、薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种石墨烯/硒纳米晶光电复合材料及其合成方法，该方法利用一步还原氧化，实现硒纳米晶在石墨烯上均匀分散，实现了发光增强。利用该分散性好的特点，将复合材料与壳聚糖静电自组装，从而避免了发光粒子的浓度猝灭，实现发光增强。合成方法简单，高效，成本低廉，性能优异。性能优异。性能优异。

【技术实现步骤摘要】
一种基于石墨烯/硒纳米晶复合材料、薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种光电器件，具体涉及光电器件，以及光电薄膜。

技术介绍

[0002]石墨烯是一种重要的新型光电材料，是由碳原子在二维空间堆积而成的单层结构，是世界上最薄的二维材料。碳原子之间通过σ键相连，碳原子形成的二维平面强度高，所有碳原子未配对的电子形成大π键，使石墨烯具有良好的电学性能。
[0003]Hummer法制备的氧化石墨烯因其表面含有大量的羟基和羧基，所以极易用于制备石墨烯复合材料。例如石墨烯/ZnS量子点，石墨烯/CdTe量子点，石墨烯/CdSe量子点等材料相继被制备出来，且复合后的荧光性能或者生物监测性能得到了较大的提升，但这些复合材料都是采用三步制备工艺，即制备石墨烯、制备量子点材料、将量子点与石墨烯进行复合。此反应过程不仅复杂，且由于量子点受环境因素如空气、湿度等，在储存过程中表面被腐蚀从而导致光强度降低。基于这个出发点，本专利技术首次发现硒纳米晶粒子的发光性能，并且实现石墨烯与Se纳米单质粒子的均匀复合。
[0004]还原法是合成Se本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种石墨烯/硒纳米晶光电复合材料，其特征在于：硒纳米晶均匀分散于石墨烯之中，硒纳米晶的粒径为40
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50nm。2.根据权利要求1所述石墨烯/硒量子点光电复合材料的制备方法，包括：步骤一、制备硒离子溶液；步骤二、制备石墨烯溶液；步骤三、制备石墨烯/Se复合材料，将步骤一中新制备的硒离子溶液快速加入到步骤二中新制备的石墨烯溶液，混合搅拌一定时间。3.根据权利要求2所述石墨烯/硒量子点光电复合材料的制备方法，在新制备的石墨烯溶液中，惰性气氛下，快速加入硒离子溶液，升温继续反应1
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60min。4.根据权利要求2所述石墨烯/硒量子点光电复合材料的制备方法，所述的硒离子溶液选自NaHSe溶液、KHSe溶液、LiHSe溶液，优选为NaHSe溶液。5.根据权利要求2所述石墨烯/硒量子点光电复合材料的制备方法，所述惰性气氛选自氮气或氩气。6.根据权利要求2所述石墨烯/硒量子点光电复合材料的制备方法，所述反应温度为30
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80℃，优选为40
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【专利技术属性】
技术研发人员：舒欣，龙辉，谢彬彬，
申请(专利权)人：南京贝迪新材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：