量子点薄膜、量子点发光二极管及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本申请实施例提供一种量子点薄膜、量子点发光二极管及其制备方法、显示装置；量子点薄膜包括第一量子点、第二量子点、以及第一配体，第一配体用于将第一量子点产生的第一激子与第二量子点产生的第二激子堆叠；上述量子点薄膜通过在第一量子点与第二量子点之间添加第一配体，第一配体能够将第一量子点产生的第一激子与第二量子点产生的第二激子堆叠，激子间的堆叠作用使得整个混合体系的量子点兼具两种不同类型的量子点的优势，从而使得上述量子点薄膜制备的量子点发光二极管兼具单独采用第一量子点制备的第一量子点发光二极管的特性以及单独采用第二量子点制备的第二量子点发光二极管的特性，进一步提升了量子点发光二极管的发光性能。极管的发光性能。极管的发光性能。

【技术实现步骤摘要】
量子点薄膜、量子点发光二极管及其制备方法、显示装置


[0001]本专利技术涉及显示领域，具体涉及一种量子点薄膜、量子点发光二极管及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]以无机量子点作为电致发光材料的自发光QLED(Quantum Dot Light
‑
Emitting Diode，量子点电致发光半导体)器件具有色域覆盖广、色纯度高、超薄轻便、可弯折卷曲等优势，因此已经收到学术与产业界的广泛关注。
[0003]目前红绿光QLED的外量子效率和寿命已经可以和有机电致发光器件相媲美。但是，蓝光QLED的器件性能，尤其是寿命仍旧远远落后。因此，如何进一步提高蓝光QLED器件寿命是QLED现阶段真正实现商业化的关键技术问题。当前技术通过对不同量子点薄膜材料进行选择，以制备出不同外量子效率的QLED器件。其中，使用一类量子点薄膜材料制备的QLED器件具有较高的外量子效率，然而此类QLED器件的实测寿命往往很低；使用另一类量子点薄膜材料制备的QLED器件具有较高的实测寿命，然而此类QLED器件又具有较低的外量子效率。因此，现有的量子点薄膜材料制备的QLED器件在具有高外量子点效率特性的同时，难以具有高实测寿命的特性。
[0004]综上所述，确有必要来开发一种量子点薄膜、量子点发光二极管及其制备方法、显示装置，以克服现有技术的缺陷。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供一种量子点薄膜、量子点发光二极管及其制备方法、显示装置，可以改善现有的量子点薄膜材料制备的QLED器件在具有高外量子点效率特性的同时，难以具有高实测寿命的特性的技术问题。
[0006]本申请实施例提供一种量子点薄膜，包括第一量子点、第二量子点、以及结合在所述第一量子点和/或者所述第二量子点表面的第一配体；
[0007]其中，所述第一配体用于将所述第一量子点产生的第一激子与所述第二量子点产生的第二激子堆叠。
[0008]可选的，在本申请的一些实施例中，单独使用所述第一量子点制备的第一量子点发光二极管的外量子效率大于或等于10％，且所述第一量子点发光二极管的亮度在1000nit下的实测寿命小于或者等于1h；单独使用所述第二量子点制备的第二量子点发光二极管的亮度在1000nit下的实测寿命在1h至20h之间；
[0009]可选的，在本申请的一些实施例中，，所述第一配体包括苯基二硫代氨基甲酸酯以及1,3
‑
二甲基
‑
4,5
‑
二取代咪唑亚基N
‑
杂环卡宾中的任意一种。
[0010]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一配体占所述量子点发光层的质量百分比范围为2％至15％。
[0011]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一量子点或者所述第二量子点分别独
立地选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb、SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe以及SnPbSTe中的至少一种；所述第一量子点的材料与所述第二量子点的材料不同。
[0012]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一量子点与所述第二量子点的质量比范围在1:10至1：1之间。
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点发光二极管还包括：衬底、设置于所述衬底上的阳极、设置于所述阳极上的空穴注入层、设置于所述空穴注入层上的空穴传输层、设置于所述空穴传输层上电子传输层以及设置于所述空穴传输层上的电子传输层；
[0014]其中，所述量子点发光二极管还包括由如上任一项所述量子点薄膜制备的量子点发光层，所述量子点发光层设置于所述空穴传输层与所述电子传输层之间。
[0015]可选的，在本申请的一些实施例中，所述空穴注入层的材料包括聚(亚乙基二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐、聚(9,9
‑
二辛基
‑
芴
‑
共
‑
N
‑
(4
‑
丁基苯基)
‑
二苯基胺)、多芳基胺、聚(N
‑
乙烯基咔唑)、聚苯胺、聚吡咯、N,N,N',N'
‑
四(4
‑
甲氧基苯基)
‑
联苯胺、4
‑
双[N
‑
(1
‑
萘基)
‑
N
‑
苯基
‑
氨基]联苯、4,4',4
”‑
三[苯基(间
‑
甲苯基)氨基]三苯基胺、4,4',4
”‑
三(N
‑
咔唑基)
‑
三苯基胺、1,1
‑
双[(二
‑4‑
甲苯基氨基)苯基环己烷、掺杂有四氟
‑
四氰基
‑
醌二甲烷的4,4',4
”‑
三(二苯基氨基)三苯胺、p
‑
掺杂酞菁、掺杂有四氟
‑
四氰基
‑
醌二甲烷的N,N
′‑
二苯基
‑
N,N
′‑
二(1
‑
萘基)
‑
1,1
′‑
联苯
‑
4,4
″‑
二胺以及六氮杂苯并菲
‑
己腈中的任意一种；
[0016]所述空穴传输层的材料包括芳基胺、聚苯胺、聚吡咯、聚(对)亚苯基亚乙烯基及其衍生物、铜酞菁、芳香族叔胺、多核芳香叔胺、4,4'
‑
双(对咔唑基)
‑
1,1'
‑
联苯化合物、N,本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点薄膜，其特征在于，包括第一量子点、第二量子点、以及结合在所述第一量子点和/或者所述第二量子点表面的第一配体；其中，所述第一配体用于将所述第一量子点产生的第一激子与所述第二量子点产生的第二激子堆叠。2.根据权利要求1所述的量子点薄膜，其特征在于，单独使用所述第一量子点制备的第一量子点发光二极管的外量子效率大于或等于10％，且所述第一量子点发光二极管的亮度在1000nit下的实测寿命小于或者等于1h；单独使用所述第二量子点制备的第二量子点发光二极管的亮度在1000nit下的实测寿命在1h至20h之间。3.根据权利要求1所述的量子点薄膜，其特征在于，所述第一配体选自苯基二硫代氨基甲酸酯以及1,3
‑
二甲基
‑
4,5
‑
二取代咪唑亚基N
‑
杂环卡宾中的至少一种。4.根据权利要求1所述的量子点薄膜，其特征在于，所述第一配体占所述量子点发光层的质量百分比范围为2％至15％。5.根据权利要求1所述的量子点薄膜，其特征在于，所述第一量子点或者所述第二量子点分别独立地选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb、SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe以及SnPbSTe中的至少一种；所述第一量子点的材料与所述第二量子点的材料不同。6.根据权利要求1所述的量子点薄膜，其特征在于，所述第一量子点与所述第二量子点的质量比范围为1:1～1:10。7.一种量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管包括：衬底；阳极，设置于所述衬底上；空穴注入层，设置于所述阳极上；空穴传输层，设置于所述空穴注入层上；电子传输层，设置于所述空穴传输层上；以及阴极，设置于所述电子传输层上；其中，所述量子点发光二极管还包括由权利要求1至6任一项所述量子点薄膜制备的量子点发光层，所述量子点发光层设置于所述空穴传输层与所述电子传输层之间。8.根据权利要求7所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层的材料包括聚(亚乙基二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐、聚(9,9
‑
二辛基
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芴
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共
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N
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(4
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丁基苯基)
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二苯基胺)、多芳基胺、聚(N
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乙烯基咔唑)、聚苯胺、聚吡咯、N,N,N',N'
‑
四(4
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甲氧基苯基)
‑
联苯胺、4
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...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂志文，闫晓林，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：