【技术实现步骤摘要】
触控显示面板及其制备方法、装置、防静电膜及其应用
[0001]本申请涉及显示
,特别是一种触控显示面板及其制备方法、装置、防静电膜及其应用。
技术介绍
[0002]随着薄膜晶体管液晶显示(Thin film transistor liquid crystal display,TFT
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LCD)技术的不断发展,对液晶显示器的轻薄化的需求越来越强烈,由此催生了In
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cell触控技术的发展,以实现显示和触控的一体化。In
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cell是指将触控的功能集成到TFT
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LCD显示面板中,该工艺是在液晶显示面板的对置基板上形成防静电层,因此可以节约一张玻璃基板,省掉贴合工序,从而降低了成本,并降低了液晶显示面板的厚度和重量,实现轻薄化,并且能够从一定程度上降低反射率。
[0003]车载显示屏在汽车显示方面的应用越来越普遍,尤其是大屏显示和多联屏显示的要求越来越高。屏幕大对In
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cell导电抗干扰膜层(也即防静电层)的要求也更为苛刻, ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种触控显示面板,其特征在于,包括:液晶显示面板,所述液晶显示面板包括对置的阵列基板和对置基板,以及设置于所述对置基板朝向所述阵列基板的一侧的触控感应层;防静电层,设置于所述对置基板背离所述阵列基板的一侧;所述防静电层包括:沿逐渐远离所述对置基板的方向依次层叠的第一材料层和第二材料层;所述第一材料层的材料包括:氧化硅和氧化铝,所述第二材料层的材料包括:氮化硅和氮化铝。2.根据权利要求1所述的触控显示面板,其特征在于,所述第一材料层中,硅元素在所述硅元素和铝元素的总质量中的质量占比为83%~93%;所述氧化硅的分子式为SiO2,氧化铝的分子式为Al2O3。3.根据权利要求1所述的触控显示面板,其特征在于,所述第二材料层通过对所述第一材料层远离所述阵列基板的表面进行氮化处理制备得到。4.根据权利要求1所述的触控显示面板,其特征在于,所述第一材料层的厚度为80~100nm,所述第二材料层的厚度为4~6nm。5.根据权利要求1所述的触控显示面板,其特征在于,所述防静电层的方阻为1E7~9.9E7Ω。6.根据权利要求1所述的触控显示面板,其特征在于,所述触控显示面板的透过率大于或等于99%。7.一种触控显示面板的制备方法,其特征在于,包括:提供液晶显示面板,所述液晶显示面板包括对置的阵列基板和对置基板,以及形成在所述对置基板朝向所述阵列基板的一侧的触控感应层;通过溅射,在所述对置基板背离所述阵列基板的一侧形成第一材料层,所述第一材料层的材料包括:氧化硅和氧化铝;对所述第一材料层远离所述阵列基板的表面进行氮化处理,在所述第一材料层远离所述阵列基板的表面形成第二材料层,制备防静电层,所述防静电层包括所述第一材料层和所述第二材料层,所述第二材料层的材料包括:氮化硅和氮化铝。8.根据权利要求7所述的方法,...
【专利技术属性】
技术研发人员:易伟华,张迅,阳威,
申请(专利权)人:江西沃格光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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